[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着全球信息社会的兴起增加了对各种显示装置的需求。因此，对各种平面显示装置的研究和开发投入了很大的努力，如液晶显示装置(LCD)、有机电致发光显示装置(OLED)、等离子显示装置(PDP)、场致发光显示装置(ELD)以及真空荧光显示装置(VFD)。而液晶显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点，已越来越多的走进人们的生活、工作中，并广泛应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。其中，薄膜晶体管是形成液晶显示装置及有机电致发光显示装置中的薄膜阵列基板的关键性元件。目前，薄膜晶体管中形成有源层的材料大多为非晶硅或者多晶硅，但由于非晶硅以及多晶硅的载流子的迁移率有限，使得薄膜晶体管的相应速度受到影响。

因此出现了使用金属氧化物做有源层的技术，如使用铟镓锌氧化物材料做有源层，由于铟镓锌氧化物材料等金属氧化物对氢元素非常敏感，所以需要使用二氧化硅制作栅极绝缘层，尤其是在顶栅极结构的薄膜晶体管中，但是在需要对铟镓锌氧化物材料进行导体化处理时，需要先对栅极绝缘层进行蚀刻，而二氧化硅的硬度较大，在进行干法刻蚀时刻蚀速率很慢，在高世代线生产中很难满足刻蚀均一性的要求，并且容易出现过度蚀刻，使得铟镓锌氧化物材料被一同蚀刻掉一部分，或者出现轻度蚀刻，使得需要蚀刻掉的栅极绝缘层有残留，从而导致像素驱动电路的损坏或者铟镓锌氧化物材料的电阻变大，影响到像素的驱动。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，以解决薄膜晶体管在制作的过程中难满足刻蚀均一性，栅极绝缘层易出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成金属氧化物层；

对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；

形成栅极绝缘层；

形成栅极、源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

本发明实施例还提供一种薄膜晶体管，使用上述方法制作形成，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

本发明实施例还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括采用上述的方法形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括采用上述的方法形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

本发明实施例提供的薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，在形成金属氧化物层之后直接对金属氧化物层进行导体化及图案化，得到有源层及位于有源层的两侧并与有源层连接的导体图案，再形成栅极绝缘层，以及栅极、源极和漏极。这样，在制作薄膜晶体管时，可以避免对栅极绝缘层进行大面积蚀刻的工序，从而大大降低刻蚀栅极绝缘层时出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题，可以较好的满足刻蚀均一性的的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。