[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成金属氧化物层；

对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；

形成栅极绝缘层；

形成栅极、源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物层进行导体化和图案化处理，得到有源层及分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接的两个导体图案的步骤，包括：

在所述金属氧化物层上形成第一光刻胶层；

利用第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光，并显影形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案对应有源层所在区域；

对未被所述第一光刻胶图案遮挡的金属氧化物进行导体化处理，以得到形成有源层的金属氧化物图案以及位于所述有源层两侧的导体层；

剥离所述第一光刻胶图案；

形成覆盖所述有源层及导体层的第二光刻胶层；

利用第二掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光，并显影形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案对应所述有源层和用于形成导体图案所在区域；

对未被所述第二光刻胶图案遮挡的所述导体层进行刻蚀，得到位于所述有源层两侧并与所述有源层连接的两个导体图案；

剥离所述第二光刻胶图案。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述栅极的具体步骤为：

在所述栅极绝缘层上形成第一金属层；

使用所述第一掩膜板图案化所述第一金属层，以得到形成栅极的金属图案。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成金属氧化物层的步骤之前，所述方法包括：

在所述衬底基板上形成一层不透光材料层；

图案化所述不透光材料层，以得到挡光图案，其中，所述挡光图案对应位于薄膜晶体管的有源层下方，且所述有源层在衬底基板上的正投影位于挡光图案在衬底基板上的正投影区域内；

在所述衬底基板上形成覆盖所述衬底基板及所述挡光图案的保护层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层的材质为铟镓锌氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为650至750埃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为700埃。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，使用如权利要求1-7中任一项所述的方法制作形成，所述薄膜晶体管包括位于一衬底基板上的有源层、两个导体图案、栅极绝缘层、栅极、源极及漏极，两个导体图案分别位于所述有源层的两侧并与所述有源层连接，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层及所述导体图案，所述栅极、所述源极及所述漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述源极及所述漏极分别与位于所述有源层两侧的两个导体图案电连接。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求8所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9中所述的阵列基板。