[发明专利]包括电介质层的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极；

穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层；

所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层；以及

所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案，所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面，所述第二表面与所述第一表面限定了锐角，

其中所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分和面对所述下部图案的第一表面的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电介质层的第二部分的厚度是所述第一电介质层的第一部分的厚度的1.5倍或以上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电介质层的第二部分在所述第一电介质层的下端，并且相对于所述第一电介质层的第一部分弯曲。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部图案包括半导体材料或硅材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二电介质层和第三电介质层，所述第二电介质层在所述第一电介质层和所述第三电介质层之间，并且所述第三电介质层在所述第二电介质层和所述半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电介质层的第一部分包括下部区域和上部区域，所述下部区域的厚度大于所述上部区域的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述第一栅电极下方同时设置在所述衬底上的第二栅电极，所述开口穿透所述第二栅电极，并且所述下部图案在所述开口中且包括面对所述第二栅电极的侧表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述下部图案包括从所述下部图案的上部凹陷的凹陷部分，所述凹陷部分与所述半导体层接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述凹陷部分比所述第二栅电极的下表面的高度高。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部图案的第二表面与所述衬底的上表面垂直。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下部图案的第二表面与所述衬底的上表面平行。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述开口包括第一孔区域和第二孔区域，所述第二孔区域在所述第一孔区域和所述衬底之间，所述第一孔区域在顶视图中基本上是圆形的，并且所述第二孔区域在顶视图中具有扭曲的圆形形状。

13.一种半导体器件，包括：

衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和字线；

半导体层，穿透所述堆叠结构的所述字线和所述层间绝缘层；

第一电介质层，包括插入在所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一部分、以及从所述第一部分弯曲并且厚度比所述第一部分的厚度大的第二部分；以及

所述衬底上的下部图案，所述下部图案更靠近所述衬底而不是所述字线，

其中所述下部图案包括接触所述第一电介质层的第二部分的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：

所述衬底和所述堆叠结构之间的连接图案，所述连接图案接触所述下部图案和所述半导体层；以及

分离图案，所述分离图案接触所述连接图案同时穿透所述堆叠结构，

其中所述下部图案在所述堆叠结构和所述连接图案之间，所述半导体层在所述堆叠结构下方延伸并且与所述下部图案间隔开。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述下部图案的第一表面和第二表面相对于彼此限定锐角。