[发明专利]显示面板及其制作方法、显示器在审

专利信息
申请号: 201710595455.6 申请日: 2017-07-19
公开(公告)号: CN107153296A 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 黄耀立;贺兴龙 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333;G06F3/041
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制作方法 显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法,以及一种显示器。

背景技术

LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的显示屏为了增强防ESD (Electronic Static Discharge,静电释放)能力和屏蔽外界的电磁干扰,一般都会在彩膜基板表面,整面镀一层ITO(氧化铟锡),并把ITO接地处理,这层ITO 叫屏蔽层。由于ITO的阻抗较低,对静电有很好的导通能力,因此能有效防止ESD。但在内嵌式触摸屏(In-Cell)里,触控层在LCD的阵列基板侧,如果CF 表面屏蔽层仍然用阻抗较低的ITO,虽然能有效防止静电,但同时也会屏蔽触摸信号,导致无法触控。为解决这一问题,现有技术一般通过更换屏蔽层的材料,使其阻抗足够大,如PEDOT(聚乙撑二氧噻吩,方阻约107Ω)等高分子导电材料,以至于不会屏蔽触控信号且能屏蔽外界信号干扰。但由于PEDOT等高分子导电材料的阻抗过大,不可避免的导致其导电能力弱,进而抗ESD能力低。

发明内容

本发明提供显示面板及其制作方法,以及一种显示器,实现较高的防抗ESD 能力的同时能够屏蔽外界信号干扰且不会屏蔽触控信号。

本发明提供一种显示面板,包括阵列基板、彩膜基板、液晶层及两层屏蔽层。所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置,所述液晶层设于所述阵列基板及所述彩膜基板之间。所述显示面板还包括显示区及围绕所述显示区边缘的非显示区。所述两层屏蔽层分别为第一屏蔽层、第二屏蔽层,所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层层叠设置并位于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,所述第二屏蔽层或者所述第一屏蔽层位于所述彩膜基板一侧的边缘且位于所述非显示区内。所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层电连接。位于所述非显示区的一层所述屏蔽层的阻抗小于另一所述屏蔽层的阻抗。所述第一屏蔽层或第二屏蔽层接地。

其中,所述第一屏蔽层覆盖于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,所述第二屏蔽层层叠于所述第一屏蔽层背离所述彩膜基板的一侧上,并围绕所述第一屏蔽层边缘设置或者所述第二屏蔽层覆盖于所述彩膜基板上背离所述阵列基板的一侧,并围绕所述彩膜基板的边缘设置,所述第一屏蔽层层叠于所述第二屏蔽背离所述彩膜基板的一侧上,并覆盖所述第二屏蔽层及未被所述第二屏蔽层覆盖的彩膜基板。

其中,所述显示面板还包括触控层,所述触控层设于所述阵列基板上朝向所述彩膜基板的一侧,或者设于所述彩膜基板上朝向所述阵列基板的一侧。

其中,所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层通过至少一个导电银浆点与接地点电连接,所述接地点设于所述阵列基板上。

其中,所述第一屏蔽层为高分子导电材料。

其中,所述第一屏蔽层为PEDOT材料,其方阻为107Ω。

其中,所述第二屏蔽层为ITO、石墨烯或金属材料。

本发明还提供一种显示面板制作方法,包括步骤:

提供一液晶盒,所述液晶盒包括阵列基板、彩膜基板及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层;

在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧上形成第一屏蔽层;

在所述第一屏蔽层上沉积第二屏蔽材料层;

图案化所述第二屏蔽材料层,得到第二屏蔽层,所述第二屏蔽层围绕所述第一屏蔽层边缘,且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层电连接;

将所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层接地。

其中,步骤“将所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层与接地点电连接”包括:

所述阵列基板上设有接地点,从所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层点导电银浆点,并使所述导电银浆点从所述第一屏蔽层或所述第二屏蔽层延伸至所述接地点,以实现所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层的接地。

本发明还提供一种显示器,所述显示器包括显示器本体及上述的显示面板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710595455.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top