[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置，所述薄膜晶体管包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层；所述源漏电极和钝化层之间设有隔离层，所述隔离层覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区。本发明通过在源漏电极以及源漏电极之间的沟道区蒸镀隔离层，使所述源漏电极在后续工艺中不易氧化，尤其是改善了铜在后续高温钝化工艺中的氧化问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其是一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置。

背景技术

氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor，简称Oxide TFT)凭借其优良的电子迁移率，良好的a-Si TFT生产线兼容性和低温制造工艺，成为下一代面板显示行业的首选。近些年来，随着国内外研究单位的技术竞争日趋激烈，已经使Oxide TFT工艺进入快速量产化的轨道上。

在氧化物薄膜晶体管的背沟道刻蚀(BCE)结构中，背沟道区域的处理有着十分关键的作用，通常由于刻蚀对背沟道区域的损伤，常常导致TFT的有源层出现导体化趋势。

发明内容

本发明的主要目的是解决对氧化物薄膜晶体管的背沟道刻蚀结构进行钝化处理时，源漏金属层容易被氧化的问题，尤其是沉积钝化层工艺的温度提高后，导电率高的金属铜更容易氧化的问题。本发明的技术方案如下：

一种薄膜晶体管，包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层；所述源漏电极和钝化层之间设有隔离层，所述隔离层覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区。

优选地，所述隔离层的材料包括硅与氧的摩尔比例为1：1.1-1.4的硅氧化合物或氧化铝。

优选地，所述隔离层的厚度为

优选地，所述钝化层包括硅与氧的摩尔比例为1：1.6-2的硅氧化合物。

本发明还提出一种阵列基板，所述阵列基板包括所述的薄膜晶体管。

本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括所述的薄膜晶体管。

根据所述薄膜晶体管，本发明还提出一种薄膜晶体管的制作方法，在包括源漏电极的衬底上，形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层。

优选地，所述形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层具体包括，在170℃-200℃的环境下，通入流量比率不小于1：40的SiH₄和N₂O，通过等离子增强化学气相沉积工艺形成包括厚度为的硅氧化合物的隔离层。

优选地，所述形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层具体包括，通过原子层沉积工艺或等离子增强的原子层沉积工艺，在180℃-220℃的环境下形成包括厚度为的氧化铝的隔离层。

优选地，所述制作方法还包括，在所述形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层之后，在240℃-280℃的环境下，通入流量比率不大于1：90的SiH₄和N₂O，以在所述隔离层上形成厚度为的钝化层。

优选地，在包括源漏电极的衬底上，形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层之前，还包括对所述源漏电极进行N₂O等离子处理。

优选地，在所述形成覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区的隔离层之后、在所述隔离层上形成钝化层之前，还包括对所述隔离层进行N₂O等离子处理。

优选地，在所述通过沉积工艺制作钝化层之后，还包括进行250℃-350℃的退火。