[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层；其特征在于：所述源漏电极和所述钝化层之间设有隔离层，所述隔离层覆盖所述源漏电极以及所述源漏电极之间的沟道区，所述隔离层的材料包括硅与氧的摩尔比例为1：1.1-1.4的硅氧化合物或氧化铝，所述钝化层包括硅与氧的摩尔比例为1：1.6-2的硅氧化合物。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述隔离层的厚度为

3.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-2中任一项所述的薄膜晶体管。

4.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在包括源漏电极的衬底上，形成覆盖所述源漏电极以及所述源漏电极之间的沟道区的隔离层，具体包括：在170℃-200℃的环境下，通入流量比率不小于1：40的SiH₄和N₂O，通过等离子增强化学气相沉积工艺形成包括硅氧化合物的隔离层；或者通过原子层沉积工艺或等离子增强的原子层沉积工艺，在180℃-220℃的环境下形成包括氧化铝的隔离层；

在240℃-280℃的环境下，通入流量比率不大于1：90的SiH₄和N₂O，以在所述隔离层上形成钝化层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅氧化合物的厚度为

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化铝的厚度为

7.根据权利要求4-6任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在包括源漏电极的衬底上，形成覆盖所述源漏电极以及所述源漏电极之间的沟道区的隔离层之前，还包括对所述源漏电极进行N₂O等离子处理。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述形成覆盖所述源漏电极以及所述源漏电极之间的沟道区的隔离层之后、在所述隔离层上形成钝化层之前，还包括对所述隔离层进行N₂O等离子处理。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成所述钝化层之后，还包括进行250℃-350℃的退火。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成所述钝化层之后，还包括进行250℃-350℃的退火。