[发明专利]半导体制程的方法在审

申请号：	201710560976.8	申请日：	2017-07-11
公开（公告）号：	CN108987251A	公开（公告）日：	2018-12-11
发明（设计）人：	郑威昌;陈政光;廖啟宏	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体制程排气管残留物去除器清洗组件积聚材料排气通道排气装置可操作内表面自排气去除清洗移动
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【说明书】：

本揭露的实施例是有关半导体制程的方法，特别是关于用于清洗半导体制程工具的排气通道的设备及方法。本揭露实施例提供排气管截面及在半导体制程工具与工厂排气装置之间连接的管清洗组件。管清洗组件包括设置在排气管截面中的残留物去除器。可操作残留物去除器以在排气管截面中移动以将积聚材料自排气管截面的内表面去除。

技术领域

本揭露实施例是有关于一种半导体制程(工艺)的方法。

背景技术

半导体集成电路(Semiconductor integrated circuits；ICs)藉由用于图案化、沉积、去除及改质的各种制程来制造。这些过程各种半导体制程工具中执行。典型半导体制程工具包括一或多个基板被制程材料处理的腔室。腔室通常连接至排气管以自腔室去除制程的多余制程材料及副产物。随时间推移，排气管会因多余制程材料及副产物而变的阻塞。举例而言，光阻剂镀膜机的多余光阻剂结晶会阻塞光阻剂镀膜机的排气管。排气管阻塞会导致由光阻剂镀膜机处理的基板上的光阻层的厚度变得不稳定并且会负面影响制程质量。另外，在排气管中阻塞的多余制程材料及副产物会引起排气管的腐蚀。

因此，需要解决上述不足。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种半导体制程的方法包含以下步骤：流动排气使其经过排气管；监控排气管中的积聚材料；启动设置在排气管截面中的残留物去除器以从排气管中去除积聚材料；以及流动排气使其经过连接在残留物去除器的下游的气液分离器。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

当结合附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露的态样。应当注意，根据工业中标准实务，各特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1为根据一些实施例的具有排气组件的半导体制程工具的示意截面图。

图2A为根据一些实施例的图示管清洗组件的排气组件的示意透视图。

图2B为图2A的管清洗组件的示意截面图。

图2C为根据一些实施例的感测器量测的示意曲线图。

图3A为根据一些实施例的图示气液分离器的排气组件的示意局部视图。

图3B为图3A的气液分离器的示意俯视图。