[发明专利]面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器有效

专利信息
申请号: 201710555920.3 申请日: 2017-07-10
公开(公告)号: CN107395177B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 廖小平;陈友国 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K17/14 分类号: H03K17/14;H01L29/812;H01L21/338;H01L35/32;H01L35/34
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211103 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 面向 联网 具有 供电 功能 mesfet 放大器
【说明书】:

发明的面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器,包括具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池。在传统的MESFET放大管上生长一层二氧化硅层,在MESFET放大管的源漏栅上各制作12个由热电偶金属臂和热电偶砷化镓臂组成的热电偶,用金属连线Au将其串联,留下两个电极作为塞贝克电压输出极“+”极和“‑”极。信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极,电阻R1和电阻R2构成偏置,源极通过电阻R3接地,放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出;将塞贝克电压的“‑”电极接地,“+”电极接稳压电路和大电容。根据Seebeck效应,MESFET放大器将自身工作时产生的废热回收转换成电能,进行电能存储和自供电,增强其散热性能的同时延长了使用寿命。

技术领域

本发明涉及微电子机械系统(MEMS)的技术领域,具体涉及一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器。MESFET(Metal Epitaxial-Semiconductor Field EffectTransistor),即金属-半导体场效应晶体管。

背景技术

继计算机、互联网与移动通信网之后,物联网作为又一次信息产业浪潮,世界上的许多事物,小到手表、手环,大到汽车,只要嵌入一个微型芯片,就使其变得智能化,并且其所需功耗十分低。随着能量收集技术的不断发展,近年来不断出现对微小功率浪费能源收集与利用的报道。将浪费的能量以及环境中无所不在的能量收集起来,转换成电能,为各种电子设备供能,是服务于物联网的有效途径。温差发电技术帮助人们收集环境中的热能,转换成电能,为物联网或可穿戴设备供电,实现能量自供给。

半导体温差发电是一种绿色的能源技术,是一种新型的发电技术,它具有如下优点:(1)结构紧凑、无磨损、无泄漏;(2)寿命长且可靠性高;(3)无有害物排放、无噪音污染。其中,半导体温差发电技术的一个关键问题是温差的产生,也就是热源的获得,又因为MESFET管放大器工作时所产生的废热正好作为热源,如此节约能源的同时减少了环境污染。

本发明即是基于GaAs工艺和MEMS表面微机械加工工艺设计了一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器,这是一种应用在物联网通讯中的MESFET管放大器。

发明内容

本发明的目的在于提供一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器,具有热电转换功能的MESFET根据Seebeck效应,实现热能到电能的转换,将产生的电压输入到大电容,进行电能存储;将产生的电压输入到稳压电路,输出稳定的直流电压,输出作为电源,为MESFET放大器自身提供电能。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器,包括:具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池;信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极,电阻R1和电阻R2分别为栅极的上下偏置,MESFET放大管的源极通过电阻R3接地,MESFET放大管的漏极通过电阻R4接到VDD,放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出,MESFET放大管的漏极通过隔直电容C2接负载电阻R5,稳压电路和大电容充电电池接VDD;所述MESFET放大管以半绝缘的GaAs为衬底,衬底上设有N型GaAs导电沟道层、MESFET源区、MESFET漏区、源区欧姆接触金锗合金层、漏区欧姆接触金锗合金层、栅极肖特基接触金层;所述源区欧姆接触金锗合金层、漏区欧姆接触金锗合金层、栅极肖特基接触金层的四周分别设有绝缘层;所述栅源漏区的绝缘层上分别设有若干个热电偶;所述热电偶包括热电偶金属臂和热电偶砷化镓臂,并用金属连线Au将上述热电臂串联,形成热电偶;所述栅源漏区的热电偶之间通过金属连线Au串联,栅源漏区分别留出2个热电偶电极;用金属连线Au将栅源漏区的热电偶电极串联,留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极“+”极和“-”极,“+”极接稳压电路和大电容充电电池,“-”极接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710555920.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top