[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710547690.6 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107134465B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 刘庭良;张锴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种阵列基板及其制备方法、显示装置。通过设置在阵列基板边缘区域的辅助结构,使边缘区域的辅助结构和引线在衬底基板上的正投影覆盖边缘区域的衬底基板,由于切割形成此边缘区域时具有与引线的切割应力相同或相近的辅助结构,从而提高阵列基板边缘区域切割平整度。
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法以及具有该阵列基板的显示装置。
背景技术
在显示技术领域,尤其是有机电致发光显示领域,存在对窄边框的设计需求。窄边框由于具有相对更大的显示面积和更好的显示效果,能够吸引消费者的青睐,也能够帮助提高产品的玻璃利用率。但是,窄边框在产品设计和产品的良率方面往往存在一定的技术问题。现有工艺生产中,需要对阵列基板进行检测,而为了实现窄边框和节约空间的目的,现在普遍通过引线将信号线引出到阵列基板外部进行检测,如图1所示。由于阵列基板由阵列基板母板切割形成,引线的存在则会使得切割时应力不均而造成阵列基板边缘截面的不平整,影响切割良率,阵列基板边缘截面如图2所示。
发明内容
本发明至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法以及具有该阵列基板的显示装置。
本发明至少一个实施例提供一种阵列基板,包括边缘区域和位于所述边缘区域的引线,还包括衬底基板,其特征在于,在所述边缘区域设置有辅助结构,所述辅助结构和所述引线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述边缘区域的所述衬底基板。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述边缘区域的衬底基板。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影所覆盖的衬底基板的区域,与所述引线在所述衬底基板上的正投影所未覆盖的衬底基板的边缘区域重合。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线在所述衬底基板上的正投影和所述辅助结构在所述衬底基板上的正投影间隔排布,所述辅助结构形成在同一层或不同层。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线和所述辅助结构材质相同,所述引线与所述辅助结构间具有绝缘层。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线和所述辅助结构厚度相同。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述引线与电源信号线、时钟信号线或控制信号线等信号线中的任一种同层设置且材料相同。
例如,本发明至少一个实施例提供的阵列基板中,所述辅助结构与栅极金属线、源极金属线或漏极金属线等金属线中的任一种同层设置且材料相同。
本发明至少一个实施例提供一种显示装置,其包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板由阵列基板母板在待切割区域切割形成,包括提供衬底基板母板,在所述待切割区域形成引线,其特征在于,还包括在所述待切割区域形成辅助结构,所述辅助结构和所述引线在所述衬底基板母板上的正投影覆盖所述待切割区域的衬底基板母板,在所述待切割区域切割阵列基板母板,形成具有边缘区域的上述任一阵列基板。
需要理解的是本发明的上述概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的,用于进一步说明所要求的发明。
本发明的一个或多个实施例至少具有以下有益效果:
通过设置在阵列基板边缘区域的辅助结构,使边缘区域的辅助结构和引线在衬底基板上的正投影覆盖边缘区域的衬底基板,由于切割形成此边缘区域时具有与引线的切割应力相同或相近的辅助结构,从而提高阵列基板边缘区域切割平整度。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的