[发明专利]一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201710547345.2 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107170769B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 王之奇;耿志明 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 影像 传感 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
本发明公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法,该封装结构包括:影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对的第一表面以及第二表面,所述第一表面具有多个用于采集图像信息的像素点以及多个与所述像素点连接的第一焊垫;覆盖所述影像传感芯片的第一表面的基板,所述基板具有布线线路以及与所述布线线路连接的接触端;所述布线线路用于与外部电路电连接;所述影像传感芯片的周缘通过各向异性导电胶与所述基板粘结固定,所述第一焊垫通过所述各向异性导电胶与所述接触端电连接,在垂直于所述基板的方向上,所述各向异性导电胶包围所有所述像素点,与所述像素点不交叠。本发明技术方案在对影像传感芯片进行封装时,工艺简单,降低了制作成本。
技术领域
本发明涉及图像采集装置技术领域,更具体的说,涉及一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法。
背景技术
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的电子器件。影像传感芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作。在影像传感芯片制作完成后,再通过对影像传感芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构,以用于诸如数码相机、数码摄像机等等的各种电子设备。
现有技术中,影像传感芯片进行封装时,以便是将影像传感芯片表面的焊垫与一基板的焊垫相互焊接,并通过黏胶将影像传感芯片与所述基板四周进行密封固定。
通过上述描述可知,现有技术对影像传感芯片进行封装时,需要焊接后再通过黏胶粘结固定,工艺复杂,成本高。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法,在对影像传感芯片进行封装时,工艺简单,且降低了制作成本。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装结构,所述封装结构包括:
影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对的第一表面以及第二表面,所述第一表面具有多个用于采集图像信息的像素点以及多个与所述像素点连接的第一焊垫;
覆盖所述影像传感芯片的第一表面的基板,所述基板上设置有布线线路以及与所述布线线路连接的接触端;所述布线线路用于与外部电路电连接;
所述影像传感芯片的周缘通过各向异性导电胶与所述基板粘结固定,且所述第一焊垫通过所述各向异性导电胶与所述接触端电连接,在垂直于所述基板的方向上,所述各向异性导电胶包围所有所述像素点,且与所述像素点不交叠。
优选的,在上述封装结构中,所述基板包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域;所述第一区域为透光区域;
所述影像传感芯片的第一表面包括:采集区域以及包围所述采集区域的非采集区域;所述采集区域与所述第一区域相对设置;所述第一焊垫位于所述非采集区域;
其中,所述各向异性导电胶位于所述非采集区域与所述第二区域之间。
优选的,在上述封装结构中,所述基板为透明材料。
优选的,在上述封装结构中,所述布线线路位于所述第二区域朝向所述影像传感芯片的表面,且所述布线线路与所述基板之间具有遮光层。
优选的,在上述封装结构中,所述基板为非透明材料;所述第一区域设置有贯穿所述基板的窗口,所述窗口用于露出所有所述像素点。
优选的,在上述封装结构中,还包括固定在所述基板上的透明盖板,所述透明盖板覆盖所述窗口。
优选的,在上述封装结构中,所述基板朝向所述影像传感芯片的一侧表面还设置有与所述布线线路电连接的外接端子,所述外接端子用于与所述外部电路电连接。
优选的,在上述封装结构中,所述外部电路具有插孔;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的