[发明专利]半导体存储装置

说明书

公开了一种半导体存储装置。该半导体存储装置包括：第一存储块；以及第二存储块，所述第二存储块与所述第一存储块共享块字线，其中，所述块字线包括被设置为与所述第一存储块交叠的第一块字线和被设置为与所述第二存储块交叠的第二块字线。根据本公开，不太可能具有操作故障。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储装置及其制造方法，更具体，涉及一种不易发生操作故障的更可靠的半导体存储装置及其制造方法。

背景技术

通常，半导体存储装置可包括：单元阵列区域，其包括用于以存储电荷的形式存储数据的多个存储单元；以及外围区域，其包括用于对存储单元执行包括编程、读取和擦除操作在内的各种操作的多个操作电路组。

通常，存储单元可被划分成多个存储块。另外，操作电路组可包括：块解码器，其输出用于选择存储块中的任何一个存储块的块选择信号；以及开关组，其响应于块选择信号而将通过全局线施加的操作电压传送到所选择的存储块。来自行解码器的块选择信号可通过块字线被施加到开关组。

在常规半导体存储装置的操作期间，已经观察到块字线可能断开，导致半导体存储装置的操作故障。

发明内容

本公开提供了一种改进的半导体装置，其解决了与现有技术关联的上述问题。本公开提供了一种不太可能具有操作故障的改进的半导体存储装置及其制造方法。

对于本发明所属技术领域的技术人员来说，通过下面描述的本发明的示例性实施方式，本发明的其它目的将变得显而易见。

本公开的示例性实施方式提供一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：第一存储块；以及第二存储块，所述第二存储块与所述第一存储块共享块字线，其中，所述块字线包括被设置为与所述第一存储块交叠的第一块字线和被设置为与所述第二存储块交叠的第二块字线。

所述第一存储块可包括第一源极选择线、第一漏极选择线以及由设置在所述第一源极选择线和所述第一漏极选择线之间的多条第一字线形成的第一字线组，并且其中，所述第一块字线可被设置为与所述第一源极选择线和所述第一漏极选择线之间的所述第一字线组交叠。

所述第二存储块可包括第二源极选择线、第二漏极选择线以及由设置在所述第二源极选择线和所述第二漏极选择线之间的多条第二字线形成的第二字线组，并且其中，所述第二块字线可被设置为与所述第二源极选择线和所述第二漏极选择线之间的所述第二字线组交叠。

所述第一块字线和所述第二块字线可传送块选择信号以用于选择所述第二存储块。

所述块字线还可包括第三块字线，所述第三块字线用于传送所述块选择信号以用于选择所述第一存储块。

本公开的另一示例性实施方式提供了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括第一存储块和第二存储块；第一开关组，所述第一开关组被配置为响应于块选择信号而将第一操作电压传送到所述第一存储块；第二开关组，所述第二开关组面向所述第一开关组，所述存储器阵列插置在所述第一开关组和所述第二开关组之间，并且所述第二开关组被配置为响应于所述块选择信号而将第二操作电压传送到所述第二存储块；以及两条或更多条块字线，所述两条或更多条块字线与所述存储器阵列交叠，在所述存储器阵列上彼此间隔开，共同连接到所述第二开关组，并且被配置为将所述块选择信号传送到所述第二开关组。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明的各种实施方式，本发明的以上和其它特征以及优点将对本发明所属领域的技术人员而言变得更加显而易见，其中：

图1是例示应用于半导体存储装置的共享块结构的图。

图2是例示根据本公开的示例性实施方式的具有二元化(dualized)块字线结构的半导体存储装置的图。

图3是根据本公开的示例性实施方式的第一存储块的平面图。