[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

第一存储块；以及

第二存储块，所述第二存储块与所述第一存储块共享块字线，

其中，所述块字线包括第一块字线和第二块字线以及第三块字线，所述第一块字线和所述第二块字线传送块选择信号以用于选择所述第二存储块，所述第三块字线用于传送所述块选择信号以用于选择所述第一存储块，并且

其中，所述第一块字线被设置为与所述第一存储块交叠并且所述第二块字线被设置为与所述第二存储块交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述第一存储块包括第一源极选择线、第一漏极选择线以及由设置在所述第一源极选择线和所述第一漏极选择线之间的多条第一字线形成的第一字线组，并且

其中，所述第一块字线被设置为与所述第一源极选择线和所述第一漏极选择线之间的所述第一字线组交叠。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

其中，所述第二存储块包括第二源极选择线、第二漏极选择线以及由设置在所述第二源极选择线和所述第二漏极选择线之间的多条第二字线形成的第二字线组，并且

其中，所述第二块字线被设置为与所述第二源极选择线和所述第二漏极选择线之间的所述第二字线组交叠。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括：

块解码器，所述块解码器被配置为输出所述块选择信号；

第一开关组，所述第一开关组被配置为响应于所述块选择信号而将第一操作电压传送到所述第一存储块；以及

第二开关组，所述第二开关组被配置为响应于所述块选择信号而将第二操作电压传送到所述第二存储块，

其中，所述第一开关组被设置在所述块解码器和所述第一存储块之间，并且

其中，所述第一存储块和所述第二存储块被设置在所述第一开关组和所述第二开关组之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述第三块字线联接所述块解码器和所述第一开关组，而不与所述第一存储块和所述第二存储块交叠。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

其中，所述第一块字线和所述第二块字线联接所述块解码器和所述第二开关组，

其中，所述第一块字线穿过所述第一字线组以联接所述块解码器和所述第二开关组，并且

其中，所述第二块字线穿过所述第二字线组以联接所述块解码器和所述第二开关组。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述第一块字线和所述第二块字线中的每一条被形成为比所述第三块字线长。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括：

第一全局线解码器，所述第一全局线解码器被配置为输出所述第一操作电压；以及

第一全局线组，所述第一全局线组被配置为将所输出的第一操作电压传送到所述第一开关组，

其中，所述第一全局线组被设置在所述块解码器和所述第一开关组之间。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括：

第二全局线解码器，所述第二全局线解码器被配置为输出所述第二操作电压；以及

第二全局线组，所述第二全局线组被配置为将所输出的第二操作电压传送到所述第二开关组，

其中，所述第二开关组被设置在所述第二全局线组和所述第二存储块之间。

10.根据权利要求3所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括一个或更多个层间绝缘层，所述一个或更多个层间绝缘层被配置为覆盖所述第一源极选择线和所述第二源极选择线、所述第一漏极选择线和所述第二漏极选择线以及所述第一字线组和所述第二字线组。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述第一块字线和所述第二块字线形成在所述层间绝缘层上的同一层上。