[发明专利]双面塑封扇出型系统级叠层封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，所述双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一载体；

2)于所述载体的上表面形成重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；

3)于所述重新布线层的第一表面形成连接焊球，所述连接焊球与所述重新布线层电连接；

4)于所述重新布线层的第一表面键合半导体芯片，所述半导体芯片与所述重新布线层电连接；所述半导体芯片的上表面低于所述连接焊球的上表面；

5)于所述重新布线层的第一表面形成第一塑封层，所述第一塑封层填满所述连接焊球与所述半导体芯片之间的间隙，并将所述连接焊球及所述半导体芯片塑封；所述第一塑封层的上表面不高于所述连接焊球的上表面；

6)去除所述载体；

7)于所述重新布线层的第二表面键合被动元件，所述被动元件与所述重新布线层电连接；

8)于所述重新布线层的第二表面形成第二塑封层，所述第二塑封层填满所述被动元件之间的间隙，并将所述被动元件完全封裹塑封；

9)于所述第一塑封层的上表面形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述连接焊球电连接。

2.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括于所述载体的上表面形成牺牲层的步骤；步骤2)中，所述重新布线层形成于所述牺牲层的上表面。

3.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于所述载体的上表面形成金属线层；

2-2)于所述载体的上表面形成电介质层，所述电介质将所述金属线层包裹，且所述电介质层的上表面与所述金属线层的上表面相平齐。

4.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于所述载体的上表面形成第一层金属线层；

2-2)于所述载体的上表面形成电介质层，所述电介质将第一层所述金属线层封裹，且所述电介质层的上表面高于所述金属线层的上表面；

2-3)于所述电介质层内形成若干层与第一层所述金属线层电连接的间隔堆叠排布的其他金属线层，相邻所述金属线层之间经由金属插塞电连接。

5.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用植球工艺于所述重新布线层的第一表面形成所述连接焊球。

6.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤5)中，采用压缩成型工艺、转移成型工艺、液体密封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺于所述重新布线层的第一表面形成所述第一塑封层；步骤9)中，采用压缩成型工艺、转移成型工艺、液体密封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺于所述重新布线层的第二表面形成所述第二塑封层。

7.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤5)中，依据所述连接焊球的高度形成所述第一塑封层。

8.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤5)包括如下步骤：

5-1)于所述重新布线层的第一表面形成第一塑封层，所述第一塑封层填满所述连接焊球与所述半导体芯片之间的间隙，并将所述连接焊球及所述半导体芯片完全封裹塑封；

5-2)去除部分所述第一塑封层及部分所述连接焊球，使得所述连接焊球的上表面与所述第一塑封层的上表面相平齐。

9.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤7)中，于所述重新布线层的第二表面键合的所述被动元件包括电容、电感或电容中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法，其特征在于，步骤9)中于所述第一塑封层的上表面形成焊料凸块包括如下步骤：

9-1)于所述第一塑封层的上表面形成金属柱；

9-2)于所述金属柱的上表面形成焊球。