[发明专利]一种集成电子装置、集成电子装置的生产方法及电子设备

说明书

本申请实施例公开了一种集成电子装置，包括：底板、金属基座和有源器件；所述有源器件设置于所述底板上；所述底板上设置所述有源器件的一面设置有第一凹坑，所述金属基座上设置有第二凹坑，所述第一凹坑与所述第二凹坑通过第一金属体电连接，其中，所述第一金属体部分嵌于所述第一凹坑内，部分嵌于所述第二凹坑内。本申请还提供了相应的生产方法及电子设备。本申请金属体在凹坑内可起限位和校准作用，使金属基座共面性强，而且可以通过金属体弥补金属基座的厚度。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种集成电子装置、集成电子装置的生产方法及电子设备。

背景技术

电子产品中经常会用到经过系统级封装(system in package，SIP)，将多个具有不同功能的电子元器件集成在一个封装内，实现一定功能的单个标准封装件，从而形成的一个系统或者子系统，例如，降压模块、升压模块、调压电源模块等系统模块。对于降压模块、升压模块、调压电源模块等有较高功率需求的模块，一般需要在底板上集成有源器件，例如，该底板可以是金属框架，再将底板塑封起来，然后将无源器件通过表面贴装技术(surface mount technology，SMT)贴装在塑封体上。

以降压模块为例，一个完整的降压模块，一般会在底板上集成金氧半场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)和控制芯片等有源器件，以及电感等无源器件。当电感的体积较大或者高度较高时，通常会将金氧半场效应晶体管(以下简称场效应管或MOSFET管)、控制芯片塑封起来，再将电感通过表面贴装技术(surface mount technology，SMT)贴装在塑封体上，如图1所示，其中，101为电感，102为焊锡，103为塑封体。而在底板上集成场效应管、控制芯片和电感等元器件时，一般需在底板上预埋金属基座，作为电感两极的两个焊盘，使得金属基座与裸露在塑封体上的电感通过焊锡焊接进行电连接，如图2所示，其中，201为金属基座，202为焊锡层，203为底板，204为铜片折弯局部放大。金属基座、场效应管均用SMT工艺通过焊锡焊接与底部底板导通互连，控制芯片通过胶粘或SMT与底部底板连接。为了将处于底板某个区域的场效应管和底板中的另一个区域电连接，此时还需要用到导电的铜片，该铜片需要进行开模，使得与底板某区域电连接的一端形成折弯。然后，将预先折弯的一端与场效应管的上表面通过焊锡焊接，弯折的另一端与底板中的一个区域焊接。塑封后再进行后续制造流程，完成封装。

由于所有的元器件的连接都是直接通过焊锡焊接，而焊锡的直接焊接导致金属基座容易产生偏移，且焊锡不均匀时会引发金属基座的倾斜，共面性差，而且不同封装厚度，需要开模不同厚度的金属基座。

发明内容

为了解决现有技术中金属基座容易产生偏移，以及需要开模不同厚度的金属基座供等问题，本申请实施例提供了一种集成电子装置，通过金属体实现电连接，该金属体在凹坑内可起到限位和自校准的作用，使得金属基座不容易产生偏移或倾斜，共面性强，而且可以通过金属体弥补金属基座的厚度。本申请实施例还提供了该集成电子装置的生产方法及电子设备。

本申请第一方面提供一种集成电子装置，该集成电子装置可以是电子产品中的集成模块，例如，升压模块、降压模块及调压电源模块等，该集成电子装置包括：底板、金属基座和有源器件；有源器件设置于底板上；底板上设置有源器件的一面设置有第一凹坑，金属基座上设置有第二凹坑，第一凹坑与第二凹坑通过第一金属体电连接，其中，第一金属体部分嵌于第一凹坑内，部分嵌于第二凹坑内。该底板可以是金属框架，有源器件可以是控制芯片和场效应管等，金属基座可以是铜基座、银基座和铝基座等。由于底板与金属基座之间可以在相互电连接的位置相应设置凹坑，并在凹坑内设置金属体，通过该金属体实现电连接，该凹坑的形状、大小及个数等均可灵活设置。该金属体在凹坑内可以起到限位和自校准的作用，使得金属基座共面性强。并且通过金属体实现电连接，使得可以通过金属体弥补金属基座的厚度，同一金属基座可以适应不同类型的厚度的需求，通过金属体实现金属基座与底板连接，避免了开发不同厚度的金属基座。