[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710524342.7 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107634746A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 阿部佑哉;小滨考德 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
彼此分离的第一基准电位及第二基准电位；
第三电位，其电位比所述第一基准电位及所述第二基准电位高；
输入判定电路，其具有比较器和参考电压生成电路，所述比较器以所述第一基准电位为基准来被驱动，具有输入电压端子和参考电压端子，所述参考电压生成电路将从被插入在所述第二基准电位与所述第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到所述比较器的参考电压端子；以及
第一低通滤波器，其被插入在信号输入系统与所述第二基准电位之间，所述信号输入系统与所述比较器的输入电压端子连接。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
彼此分离的第一基准电位及第二基准电位；
第三电位，其电位比所述第一基准电位及所述第二基准电位高；
输入判定电路，其具有比较器和参考电压生成电路，所述比较器以所述第一基准电位为基准来被驱动，具有输入电压端子和参考电压端子，所述参考电压生成电路将从被插入在所述第二基准电位与所述第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到所述比较器的参考电压端子；
第二低通滤波器，其被插入在信号输入系统与所述第一基准电位之间，所述信号输入系统与所述比较器的输入电压端子连接；以及
第三低通滤波器，其被插入在参考电压系统与所述第一基准电位之间，所述参考电压系统处于所述参考电压生成电路与所述参考电压端子之间。
3.一种半导体装置，其特征在于，具备：
彼此分离的第一基准电位及第二基准电位；
第三电位，其电位比所述第一基准电位及所述第二基准电位高；
输入判定电路，其具有比较器和参考电压生成电路，所述比较器以所述第一基准电位为基准来被驱动，具有输入电压端子和参考电压端子，所述参考电压生成电路将从被插入在所述第二基准电位与所述第三电位之间的恒流源与电阻的连接点生成的参考电压输入到所述比较器的参考电压端子；
第一低通滤波器，其被插入在信号输入系统与所述第二基准电位之间，所述信号输入系统与所述比较器的输入电压端子连接；
第二低通滤波器，其被插入在所述信号输入系统与所述第一基准电位之间；以及
第三低通滤波器，其被插入在参考电压系统与所述第一基准电位之间，所述参考电压系统处于所述参考电压生成电路与所述参考电压端子之间。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
与所述恒流源并联地连接有第二恒流源与开关元件的串联电路，根据所述比较器的输出信号来控制该开关元件，使该开关元件具有滞后特性。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述开关元件由P沟道MOSFET和N沟道MOSFET中的一方构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710524342.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纸箱盖自动压紧结构
- 下一篇：一种用于抓取中药的装置
