[发明专利]OLED器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种OLED器件及其制作方法，该OLED器件包括基板和位于所述基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括第一电极层、有机层和第二电极层，其特征在于，还包括微腔效应调节结构，所述微腔效应调节结构包括设置在所述第一电极层与所述有机层之间的至少一层透明氧化物层。本发明提供的OLED器件及其制作方法的技术方案，增加了光学设计上调节总光程差的方式，从而可以提高调节灵活性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种OLED器件及其制作方法。

背景技术

大尺寸OLED显示技术因其具有暗态表现力强、对比度高的优选，而成为大尺寸高端电视应用的青睐技术，但是由于OLED材料成本、工艺良率等限制而使得其市场占有率不高。虽然溶液法加工的大尺寸OLED显示通过喷墨印刷技术沉积OLED墨水材料，有望大幅度降低制造成本，但是，目前底发射印刷OLED显示器件存在着开口率低、器件发光效率差、色彩再现范围小、寿命较短等限制，因此能够在技术上解决这些限制的顶发射OLED显示器件吸引了广大的研发兴趣，并取得了很大的进展。

OLED显示器件按照出光方向主要分为两种，即：底发射OLED显示器件和顶发射OLED显示器件，其中，底发射OLED显示器件是光从基板方向射出的显示器件；顶发射OLED显示器件是光从器件顶部方向射出的显示器件。顶发射OLED显示器件因不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上TFT电路的设计，丰富了电极材料的选择，有利于器件与TFT电路的集成。

顶发射OLED显示器件的正负极之间构成的微腔结构有一系列效应，即，“微腔效应”。该微腔效应能够对微腔结构发射波长有光强度增加效应，从而可以改善了OLED器件内部的光取出效率。而且，微腔效应还能够对发射峰光谱有窄化作用，同时可以改变发射峰波长。顶发射OLED显示器件一般选择金属反射膜-金属半反射膜的结构。通过对总光程差(结构上在金属反射膜与金属半反射膜/半透明膜之间的光路)、光线基于金属反射膜/金属半反射膜的反射相位移、微腔模数等的调制，可以获得预期的器件发光效能改善和波谱窄化。

常规的器件开发/设计优化通过对上述总光程差的调整，来改善顶发射OLED器件的效能和窄化电致发光发射光谱。光路里涉及到的膜层一般有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等有机膜层，通过调整蒸镀工艺如速率/时间等来调整其中一层或者其中多层的有机膜层的膜厚，来调整上述总光程差。

但是，目前总光程差的调整方式只能通过调节上述有机膜层的厚度，调节方式单一，从而调节灵活性较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种OLED器件及其制作方法，其光学设计上增加了调节总光程差的方式，从而可以提高调节灵活性。

为实现本发明的目的而提供一种OLED器件，包括基板和位于所述基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括第一电极层、有机层和第二电极层，还包括微腔效应调节结构，所述微腔效应调节结构包括设置在所述第一电极层与所述有机层之间的至少一层透明氧化物层。

优选的，通过设定所述透明氧化物层的厚度，来调节微腔效应。

优选的，所述透明氧化物层的厚度的取值范围在5～100nm。

优选的，通过设定各层所述透明氧化物层所采用的材料，来调节微腔效应。

优选的，所述透明氧化物层所采用的材料的折射率的取值范围在1.5～2.2。

优选的，所述透明氧化物层为至少两层，其中，至少两层所述透明氧化物层中的最下层的所述透明氧化物层所采用材料的功函数低于其余所述透明氧化物层所采用材料的功函数。