[发明专利]OLED器件及其制作方法有效
申请号: | 201710523501.1 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107275503B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 黄维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED器件,包括基板和位于所述基板上的多个像素单元,每一所述像素单元包括第一电极层、有机层和第二电极层,其特征在于,还包括微腔效应调节结构,所述微腔效应调节结构包括设置在所述第一电极层与所述有机层之间的至少两层透明氧化物层;至少两层所述透明氧化物层中的最下层的所述透明氧化物层所采用材料的功函数低于其余所述透明氧化物层所采用材料的功函数。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,通过设定所述透明氧化物层的厚度,来调节微腔效应。
3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,所述透明氧化物层的厚度的取值范围在5~100nm。
4.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,通过设定各层所述透明氧化物层所采用的材料,来调节微腔效应。
5.根据权利要求4所述的OLED器件,其特征在于,所述透明氧化物层所采用的材料的折射率的取值范围在1.5~2.2。
6.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,至少两层所述透明氧化物层中的最下层的所述透明氧化物层所采用的材料为ITO;其余所述透明氧化物层所采用的材料包括ZnO、IZO或者ITO。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的OLED器件,其特征在于,所述第一电极层设置在所述基板之上;所述至少两层透明氧化物层设置在所述第一电极层之上;所述有机层设置在所述至少两层透明氧化物层之上;所述第二电极层设置在所述有机层之上。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的OLED器件,其特征在于,所述第二电极层设置在所述基板之上;所述有机层设置在所述第二电极层之上;所述至少两层透明氧化物层设置在所述有机层之上;所述第一电极层设置在所述至少两层透明氧化物层之上。
9.根据权利要求8所述的OLED器件,其特征在于,在所述至少两层透明氧化物层与所述有机层之间还设置有保护层。
10.一种OLED器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板和位于所述基板上的多个像素单元;
每一所述像素单元的制作方法包括:
在所述基板上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成微腔效应调节结构,所述微腔效应调节结构包括至少两层透明氧化物层;
在所述至少两层透明氧化物层上形成有机层;
在所述有机层上形成有第二电极层;
或者,包括:
在所述基板上形成第二电极层;
在所述第二电极层上形成有机层;
在所述有机层上形成微腔效应调节结构,所述微腔效应调节结构包括至少两层透明氧化物层;
在所述至少两层透明氧化物层上形成第一电极层;
至少两层所述透明氧化物层中的最下层的所述透明氧化物层所采用材料的功函数低于其余所述透明氧化物层所采用材料的功函数。
11.根据权利要求10所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,在所述第二电极层上形成有机层之后,且在所述有机层上形成微腔效应调节结构之前,还包括:
在所述有机层上形成保护层。
12.根据权利要求10所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,采用喷墨打印的方式制作所述透明氧化物层。
13.根据权利要求10所述的OLED器件的制作方法,其特征在于,采用光刻工艺的方式制作最下层的所述透明氧化物层,而采用喷墨打印的方式制作其余所述透明氧化物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择