[发明专利]一种图像传感器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器结构，具有有效像元阵列，其特征在于，在有效像元阵列中的每个有效像元中包括：探测结构层和盲元结构层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，探测结构层采用第一导电类型的敏感材料层，盲元结构层采用第二导电类型的非敏感材料层；第一导电类型和第二导电类型不相同。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，探测结构层的一端和盲元结构层的一端共同连接一第一共享引出极，探测结构层的另一端和盲元结构层的另一端分别连接第二引出极和第三引出极。

4.根据权利要求3所述的图像传感器结构，其特征在于，每个所述有效像元的俯视图呈三角形，在三角外侧设置有第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁，第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁分别与三角形的三边平行；探测结构层的一端和盲元结构层的一端位于三角形的一个角，并通过第一导电梁与第一共享引出极相电连，探测结构层的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第二导电梁与第二引出极相连，盲元结构层的另一端位于三角形的剩余一个角，并通过第三导电梁与第三引出极相连。

5.根据权利要求4所述的图像传感器结构，其特征在于，有效像元阵列中，呈三角形的有效像元之间的相邻的边平行。

6.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述探测结构层的表面内部或外部设置有所述盲元结构层。

7.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述探测结构层的顶部、底部和侧壁被所述盲元结构层覆盖。

8.一种图像传感器结构的制备方法，包括制备有效像元阵列的过程，其特征在于，有效像元的制备过程包括：形成第一导电类型的敏感材料层作为探测结构层，以及形成第二导电类型的非敏感材料层作为盲元结构层。

9.根据权利要求8所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，形成探测结构层包括：

步骤01：沉积第一层材料层；

步骤02：采用第一离子注入工艺，在第一层材料层中注入第一导电类型的杂质，并且图形化第一材料层，形成探测结构层；

形成像元结构层包括：

步骤03：采用第二离子注入工艺，向探测结构层表面注入第二导电类型的杂质，从而在探测结构层的表层中形成像元结构层。

10.根据权利要求9所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，第二离子注入工艺包括：首先向探测结构层表面垂直注入，然后向探测结构层的侧壁进行倾斜注入，从而使得形成的盲元结构层被包含于探测结构层的侧壁、底部和顶部的表层中。

11.根据权利要求9所述的图像传感器结构的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，第二离子注入工艺包括：仅向探测结构层的顶部表面和底部表面垂直注入，从而在探测结构层的顶部和底部的表层中形成盲元结构层。