[发明专利]倒装芯片电路

权利要求书

1.一种倒装芯片电路，其特征在于，包括：

半导体衬底；

功率放大器，所述功率放大器设置在所述半导体衬底上；

金属垫，所述金属垫被配置成收容用于将所述倒装芯片连接到外部电路系统的导电凸块；

其中所述功率放大器的至少一部分直接定位在所述金属垫与所述半导体衬底之间；

温度传感器，所述温度传感器具有多个温度敏感组件，每个温度敏感组件被设置成邻近所述多个功率放大器中的相应一个功率放大器，以及

控制器，所述控制器被配置成基于由所述温度传感器确定的温度而控制所述多个功率放大器。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片电路，其特征在于，进一步包括被定位在所述金属垫与所述功率放大器之间的金属叠层，其中所述金属叠层包括多个金属层，所述多个金属层被配置成在所述功率放大器与所述金属垫之间提供热桥。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的倒装芯片电路，其特征在于，进一步包括耦合到所述金属垫的导电凸块，其中所述导电凸块包括远离所述金属垫和所述半导体衬底延伸的金属柱。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的倒装芯片电路，其特征在于，进一步包括具有孔的绝缘层，其中所述金属垫通过所述孔耦合到所述导电凸块，并且其中所述导电凸块横跨所述绝缘层的至少一部分延伸。

5.根据权利要求1所述的倒装芯片电路，其特征在于，包括：

多个功率放大器，所述多个功率放大器设置在所述半导体衬底上；

多个金属垫，所述多个金属垫各自被配置成收容用于将所述倒装芯片连接到外部电路系统的导电凸块；

其中所述多个功率放大器中的每个功率放大器的至少一部分直接定位在金属垫与所述半导体衬底之间。

6.根据权利要求5所述的倒装芯片电路，其特征在于，所述多个功率放大器中的两个或更多功率放大器的至少一部分直接定位在金属垫与所述半导体衬底之间。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的倒装芯片电路，其特征在于，功率放大器的至少一部分直接定位在所述多个金属垫中的两个或更多金属垫与所述半导体衬底之间。

8.根据权利要求5或权利要求6所述的倒装芯片电路，其特征在于，进一步包括多个偏置电路，每个偏置电路与所述多个功率放大器中的一个功率放大器相关联，其中所述偏置电路被配置成彼此独立地向相关联的功率放大器提供偏置电压。

9.一种多尔蒂放大器，其特征在于，包括：

主级，所述主级包括主放大器；

峰级，所述峰级包括峰值放大器；

其中所述主放大器和所述峰值放大器各自包括根据在前的任一项权利要求所述的倒装芯片电路。