[发明专利]显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201710456175.7 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107564934B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 林宗治;仓泽隼人;中西贵之;宫本光秀;水桥比吕志;木田芳利 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张永明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
提供一种显示装置及其制作方法,显示装置具有作为触摸面板的至少一部分功能。显示装置具有:多个像素电极;多个相对电极和多个金属膜,位于多个像素电极上,呈条状配置,彼此交替;EL层,夹在多个像素电极和多个相对电极之间,多个相对电极彼此电独立。多个相对电极的各个可以与多个金属膜电独立。多个金属膜也可以电悬浮。
技术领域
本发明的实施方式之一涉及有机EL显示装置等的显示装置及其制作方法。例如,涉及承载有触摸面板的显示装置及其制作方法。
背景技术
作为用于用户对显示装置输入信息的界面,已知有触摸面板。通过将触摸面板设置在显示装置的画面上,用户能够操作画面上所显示的输入按钮或图标等,能够容易地向显示装置输入信息。例如在日本特开2015-18331号公报或日本特开2015-50245号公报中,公开了在有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置上承载触摸面板的电子设备。
发明内容
本发明的实施方式之一是一种显示装置,具有:多个像素电极;多个相对电极,位于所述多个像素电极上,呈条状配置;以及EL(电致发光)层,夹在所述多个像素电极和所述多个相对电极之间,所述多个相对电极彼此电独立。
本发明的实施方式之一是显示装置,具有:第一像素和第二像素,位于显示区域内并彼此相邻,且分别具有像素电极、像素电极上的EL(电致发光)层、EL层上的相对电极;第一绝缘膜,覆盖第一像素和第二像素的像素电极的端部,在第一像素和第二像素中夹于被像素电极和EL层之间;以及结构体,位于第一绝缘膜之上,与第一绝缘膜相接触,位于第一像素和第二像素的相对电极之间,第一像素和第二像素的相对电极彼此电分离。
本发明的实施方式之一是显示装置,具有:第一像素和第二像素,位于显示区域内并彼此相邻,且分别具有像素电极、像素电极上的EL(电致发光)层、EL层上的相对电极;以及第一绝缘膜,覆盖第一像素和第二像素的像素电极的端部,在第一像素和第二像素中夹于像素电极和EL层之间,第一绝缘膜具有槽,所述槽夹于第一像素和第二像素的相对电极之间,第一像素和第二像素的相对电极彼此电分离。
本发明的实施方式之一是显示装置的制作方法。该制作方法包括:形成彼此相邻的第一像素电极和第二像素电极;以覆盖第一像素电极和第二像素电极的端部的方式形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成结构体,所述结构体至少包含有机绝缘体和无机绝缘体中的一者;在第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘膜以及结构体上形成EL(电致发光)层;通过在EL层上形成导电膜,以夹着结构体的方式形成第一像素电极上的相对电极和第二像素电极上的相对电极。
本发明的实施方式之一是显示装置的制作方法。该制作方法包括:形成彼此相邻的第一像素电极和第二像素电极;以覆盖第一像素电极和第二像素电极的端部的方式形成第一绝缘膜;在第一绝缘膜上形成槽,在第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘膜以及槽上形成EL(电致发光)层;通过在EL层上形成导电膜,以夹着槽的方式形成第一像素电极上的第一相对电极和第二像素电极上的第二相对电极。
附图说明
图1是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性上表面图。
图2是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性上表面图。
图3A、图3B是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性上表面图和立体图。
图4是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性截面图。
图5A、图5B是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性截面图。
图6是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性上表面图。
图7是作为本发明的实施方式之一的显示装置的示意性截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的