[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710449807.7 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN107331647B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 宫奎;段献学 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成像素界定层过渡图形,所述像素界定层过渡图形的侧表面形成底切;
在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上形成公共层,所述公共层在所述像素界定层过渡图形的侧表面断裂;
去除所述底切,得到像素界定层的图形;
形成阴极。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述形成像素界定层过渡图形包括:
形成第一感光材料层;
对所述第一感光材料层进行曝光,使得所述第一感光材料层表面的一部分感光材料被充分曝光,形成充分曝光膜层;
在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层;
以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光,使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光;
对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影,形成所述像素界定层过渡图形,所述像素界定层过渡图形包括第一堤部、位于第一堤部上的第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部,所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内,且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述底切,得到像素界定层的图形包括:
对所述像素界定层过渡图形进行加热,使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第一堤部、所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面,得到像素界定层的图形。
4.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述第一感光材料层的厚度为D,所述充分曝光膜层的厚度d为1/10 D~1/5 D。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述第二感光材料层的厚度d1为1/5 D~1/3 D,且d1大于d。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述形成像素界定层过渡图形包括:
形成第一感光材料层;
对所述第一感光材料层进行曝光,使得全部所述第一感光材料层被充分曝光;
在曝光后的第一感光材料层上形成第二感光材料层;
以制作像素界定层的图形的掩模板为遮挡对所述第一感光材料层和所述第二感光材料层进行曝光,使得所述第一感光材料层和所述第二感光材料层未被所述掩模板的遮光图形遮挡的部分充分曝光;
对曝光后的第一感光材料层和第二感光材料层进行显影,形成所述像素界定层过渡图形,所述像素界定层过渡图形包括第二堤部和位于第二堤部上的第三堤部,所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影完全落入所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影内,且所述第二堤部的顶面在衬底基板上的正投影的边缘与所述第三堤部的底面在衬底基板上的正投影的边缘间隔一定距离。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述底切,得到像素界定层的图形包括:
对所述像素界定层过渡图形进行加热,使得部分所述像素界定层过渡图形融化将所述第二堤部和所述第三堤部的侧表面连成一平缓的坡面,得到像素界定层的图形。
8.根据权利要求3或7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述对所述像素界定层过渡图形进行加热包括:
在80℃至100℃的温度下对所述像素界定层过渡图形进行12至48小时的加热。
9.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述公共层包括:
在形成有所述像素界定层过渡图形的衬底基板上制备整层的公共层,所述公共层在所述像素界定层过渡图形的侧表面上发生断裂,一部分落入所述像素界定层过渡图形限定出的像素区域内,另一部分位于所述像素界定层过渡图形的顶表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710449807.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型的高温烘干除湿机
- 下一篇:半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造