[发明专利]半导体封装的制造方法有效
| 申请号： | 201710445072.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107571433B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 中野正志;伊瀬知宣朗;小田川友彦;家治川祐一 | 申请（专利权）人： | 仓敷纺绩株式会社;TOWA株式会社 |
| 主分类号： | B29C33/68 | 分类号： | B29C33/68 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本冈山*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装的制造方法，包括：
准备脱模膜的步骤，所述脱模膜包含具有脱模性的支撑层、与设于所述支撑层的单面的临时转印层，所述支撑层具有双轴取向SPS系聚合物膜，所述临时转印层的厚度为10μm以上、35μm以下，所述临时转印层的材料为聚烯烃系树脂；
密封部的成形步骤，顺次配置基板、树脂、脱模膜，在一面利用上下成形模对树脂进行压缩一面进行密封部的成形；
将所述脱模膜的临时转印层的至少一部分转印于所述密封部的步骤；
经由研磨将转印于所述密封部的临时转印层除去，且对密封部表面进行研磨的步骤。
2.根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：所述临时转印层通过挤出层压而积层于所述支撑层的单面。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装的制造方法，其特征在于：所述临时转印层的材料为直链状低密度聚乙烯。
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