[发明专利]版图及芯片

说明书

一种版图以及芯片，版图包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。本发明的版图，可以仅修改所述门阵列备用单元金属层的连接方式，就能变换成任意功能单元，不受布局位置的限制，节约时间，提高效率。

技术领域

本发明涉及集成电路(IC)，尤其涉及一种版图及芯片。

背景技术

现代IC设计快速发展，复杂度也不断提高，每当工程变更指令(engineeringchange order；ECO)时，越来越要求低成本和短时间。现有做法是在设计结束后，在剩余空间放一些标准单元(standard cell)，把标准单元的输入端接到输入电压(vdd)或接地(gnd)来防止漏电。但是这样的做法往往受限于标准单元的类型和分布位置。很多时候需要用的标准单元放在很远的位置，ECO时会造成连线的困难，甚至引起一连串时序的违反(timing violation)。现有的修改只能手动修改。并且它没有时序模型(timing model)描述这个单元(cell)的时序(timing)情况，所以最后修改出来的版图无法准确预估时序模型。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种版图及芯片，可以仅修改所述门阵列备用单元金属层的连接方式，就能变换成任意功能单元，不受布局位置的限制。

本发明提供一种版图，包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。

进一步的，在所述版图中，至少部分所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。

进一步的，在所述版图中，所述门阵列备用单元通过第一层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。

进一步的，在所述版图中，多个相邻或非相邻的所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元；或/和，一个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元。

进一步的，在所述版图中，在不使用时，所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层连接成电容，或不做金属层的连接。

进一步的，在所述版图中，在一个所述门阵列备用单元中，所述pmos晶体管位于一排，所述nmos晶体管位于另一排；和/或，在一个所述门阵列备用单元中，包括2对以上的pmos晶体管和nmos晶体管，相邻的所述pmos晶体管共用同一有源区，相邻的所述nmos晶体管共用同一有源区。

进一步的，在所述版图中，至少部分所述门阵列备用单元中的所述pmos晶体管和nmos晶体管的个数相同；和/或，至少部分所述门阵列备用单元中的所述pmos晶体管和nmos晶体管的个数不同。

进一步的，在所述版图中，多个所述门阵列备用单元排列成多排，每排具有多个所述门阵列备用单元；和/或，所有的所述pmos晶体管和nmos晶体管都是固定尺寸。

进一步的，在所述版图中，所述版图还包括多用备用的标准单元，所述门阵列备用单元与所述标准单元穿插排列；和/或，每个所述门阵列备用单元包含两对pmos晶体管和nmos晶体管或四对pmos晶体管和nmos晶体管。

根据本发明的另一面，提供一种芯片，根据如上任意一项所述版图制备而成。