[发明专利]版图及芯片在审
| 申请号： | 201710426455.3 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109033480A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨洋 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海专尚知识产权代理事务所(普通合伙) 31305 | 代理人： | 张政权;周承泽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 备用单元 门阵列 源区 芯片 布局位置 功能单元 连接方式 金属层 节约 | ||
1.一种版图，其特征在于，包括多个门阵列备用单元，每个所述门阵列备用单元包含至少一对pmos晶体管和nmos晶体管；在不同的所述门阵列备用单元之间，所述pmos晶体管的有源区相独立，所述nmos晶体管的有源区相独立。
2.如权利要求1所述的版图，其特征在于，至少部分所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。
3.如权利要求2所述的版图，其特征在于，所述门阵列备用单元通过第一层金属层的不同连接，以形成不同的功能单元。
4.如权利要求1所述的版图，其特征在于，多个相邻或非相邻的所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元；或/和，一个所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层的同连接，形成一个功能单元。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的版图，其特征在于，在不使用时，所述门阵列备用单元通过一层或多层金属层连接成电容，或不做金属层的连接；和/或，每个所述门阵列备用单元包含两对pmos晶体管和nmos晶体管或四对pmos晶体管和nmos晶体管。
6.如权利要求1所述的版图，其特征在于，在一个所述门阵列备用单元中，所述pmos晶体管位于一排，所述nmos晶体管位于另一排；和/或，在一个所述门阵列备用单元中，包括2对以上的pmos晶体管和nmos晶体管，相邻的所述pmos晶体管共用同一有源区，相邻的所述nmos晶体管共用同一有源区。
7.如权利要求1所述的版图，其特征在于，至少部分所述门阵列备用单元中的所述pmos晶体管和nmos晶体管的个数相同；和/或，至少部分所述门阵列备用单元中的所述pmos晶体管和nmos晶体管的个数不同。
8.如权利要求1所述的版图，其特征在于，多个所述门阵列备用单元排列成多排，每排具有多个所述门阵列备用单元；和/或，所有的所述pmos晶体管和nmos晶体管都是固定尺寸。
9.如权利要求1所述的版图，其特征在于，所述版图还包括多个备用的标准单元，所述门阵列备用单元与所述标准单元穿插排列；和/或，多个所述门阵列备用单元排列成至少一排，每排包括多个所述门阵列备用单元。
10.一种芯片，其特征在于，根据如权利要求1至9中任意一项所述版图制备而成。
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