[发明专利]一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以实现超大开态电流的TFT，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，应用该显示面板的显示装置实现窄边框。本发明提供的一种TFT，包括基板，位于基板之上的源极、位于源极之上的漏极、连接于源极与漏极之间的有源层，以及的栅极，其中，源极与漏极之间设有用于将源极与漏极绝缘的第一绝缘层，有源层与栅极之间设有用于将有源层与栅极绝缘的第二绝缘层，有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板发展迅速，高分辨率、窄边框的需求也随之变大，薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)需要更小化，充电效率要求更高，由于像素电极的充电速率与TFT的开态电流有关，而TFT的开态电流与TFT的沟道的宽度有关。

发明内容

本发明实施例提供了一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以通过增大TFT的沟道的宽度，提高TFT的开态电流，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，使得应用该显示面板的显示装置实现窄边框。

本发明实施例提供的一种TFT，包括基板，位于所述基板之上的源极、位于所述源极之上的漏极、连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，以及栅极，其中，所述源极与所述漏极之间设有用于将所述源极与所述漏极绝缘的第一绝缘层，所述有源层与所述栅极之间设有用于将所述有源层与所述栅极绝缘的第二绝缘层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面。

本申请实施例提供的TFT，由于该TFT的有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，由于沟道形成在源极与漏极之间，而第一绝缘层在源极与漏极之间，即有源层与第一绝缘层侧面接触的部分形成沟道。有源层包围第一绝缘层的至少一部分侧面，说明至少这一部分形成沟道，而包围第一绝缘层的长度即沟道的宽度，因此可以增大沟道的宽度，提高TFT的开态电流，进而使得应用该TFT的显示面板提高开口率，使得应用该显示面板的显示装置实现窄边框。

可选地，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面。

本申请实施例提供的TFT的有源层至少包围六面体第一绝缘层的两个侧面，可以使得至少两个侧面形成沟道，使得沟道的宽度至少增大为现有的沟道的宽度的2倍，使得沟道的宽度变为原来的2倍，使得TFT的开态电流变大。

可选地，所述有源层包围所述六面体的四个侧面。

本申请实施例提供的TFT的有源层包围六面体第一绝缘层的四个侧面，可以使得四个侧面均形成沟道，使得沟道的宽度增大为原沟道的宽度的四倍，使得沟道的宽度变为原来的四倍，使得TFT的开态电流增加到最大。

可选地，所述栅极包围所述六面体的四个侧面。

本申请实施例提供的TFT的栅极完全包围所述六面体的四个侧面，使得有源层受控，避免漏电，导致TFT性能变差。

可选地，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层所采用的材料包括Al₂O₃。

本申请实施例提供的TFT，由于Al₂O₃材料的介电性更好，可以保证第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘性，避免漏电的问题。

可选地，所述源极所述漏极，为单层金属结构或多层金属结构。

本申请实施例提供的TFT，采用单层金属结构或多层金属结构，是为了保证源极和漏极形成良好的坡度角，使得第二绝缘层和有源层形成良好的坡度。