[发明专利]一种TFT及其制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括基板，位于所述基板之上的源极、位于所述源极之上的漏极、连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，以及栅极，其中，所述源极与所述漏极之间设有用于将所述源极与所述漏极绝缘的第一绝缘层，所述有源层与所述栅极之间设有用于将所述有源层与所述栅极绝缘的第二绝缘层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，所述栅极包围所述有源层至少一部分侧面；其中，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面。

2.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述有源层包围所述六面体的四个侧面。

3.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述栅极包围所述六面体的四个侧面。

4.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层所采用的材料包括Al₂O₃。

5.根据权利要求1所述的TFT，其特征在于，所述源极和/或所述漏极，为单层金属结构或多层金属结构。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管TFT。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。

9.一种薄膜晶体管TFT的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源极；

在所述源极上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成漏极；

形成连接于所述源极与所述漏极之间的有源层，所述有源层包围所述第一绝缘层的至少一部分侧面，其中，所述第一绝缘层为六面体，所述有源层包围所述六面体的至少两个侧面，所述侧面为所述六面体上除了与所述源极和所述漏极相接触的面之外的面；

形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；

形成包围所述有源层至少一部分侧面的栅极。