[发明专利]半导体装置中硅化钴层的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置中硅化钴层的形成方法，包括：

形成硅层；

形成SAB结构；

在形成所述SAB结构之后，生成包含氢自由基的无极性的等离子体，包括滤除所述等离子体中的极性离子及电子，使用滤除后的等离子体对所述硅层进行表面处理，并将处理后的气体抽走；

在所述处理后的硅层表面形成钴；

使所述硅层与钴反应形成硅化钴层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述滤除所述等离子体中的极性离子及电子的步骤是使用金属滤网滤除。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述生成包含氢自由基的等离子体的步骤中，反应气体包括提供氢自由基的第一气体和起稀释氢自由基的作用以控制反应速度的第二气体。

4.根据权利要求3所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述第一气体包括甲烷，所述第二气体包括氦气。

5.根据权利要求4所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述生成包含氢自由基的等离子体的步骤，是使用微波形成等离子体。

6.根据权利要求4所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述对所述硅层进行表面处理的步骤，反应温度为200摄氏度～300摄氏度。

7.根据权利要求4所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述生成包含氢自由基的等离子体，对所述硅层进行表面处理的步骤中，甲烷和氦气的总流量为250每分钟标准毫升～400每分钟标准毫升。

8.根据权利要求4所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述生成包含氢自由基的等离子体，对所述硅层进行表面处理的步骤中，通入的甲烷和氦气的比例为1:5～1:7。

9.根据权利要求1所述的半导体装置中硅化钴层的形成方法，其特征在于，所述在所述处理后的硅层表面形成钴的步骤之前，还包括用稀释的氢氟酸对所述处理后的硅层表面进行清洗的步骤。