[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

电压控制型半导体元件，其对负载进行驱动；以及

元件驱动部，其具有控制电路，所述控制电路被输入针对所述电压控制型半导体元件的控制端子的控制信号，根据该控制信号来控制所述电压控制型半导体元件的控制端子，并且以控制信号为电源来被驱动，

所述元件驱动部具备：

用于输入所述控制信号的输入端子以及与所述电压控制型半导体元件的低电位侧端子连接的低电位侧端子；

第一分压电路，其连接于所述输入端子与所述低电位侧端子之间，被设定成第一分压电压为用于保护所述电压控制型半导体元件和所述控制电路的设定电压以下；

半导体开关元件，其控制该第一分压电路的分压动作；以及

第二分压电路，其在所述输入端子被输入超过所述设定电压的电压时向所述半导体开关元件的控制端子输出使所述半导体开关元件导通的第二分压电压，

其中，向所述电压控制型半导体元件的控制端子和所述控制电路提供所述第一分压电压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一分压电路具备第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接于所述输入端子与所述电压控制型半导体元件及所述控制电路之间，所述第二电阻连接于该第一电阻同所述电压控制型半导体元件及所述控制电路的连接点与所述低电位侧端子之间，所述第一分压电路从所述第一电阻与所述第二电阻的连接点输出所述第一分压电压。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体开关元件与所述第二电阻串联连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二分压电路是由两个电阻串联连接而构成的，所述电阻间的连接点与所述半导体开关元件的控制端子连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二分压电路包括齐纳二极管、以及连接于该齐纳二极管的阳极与所述低电位侧端子之间的电阻，所述齐纳二极管的阴极连接于所述输入端子与所述第一分压电路之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二分压电路包括串联连接于所述输入端子与所述低电位侧端子之间的多个齐纳二极管中的靠所述输入端子侧的齐纳二极管、以及连接于该齐纳二极管同邻接的齐纳二极管的连接点与所述低电位侧端子之间的电阻。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二分压电路包括将下拉电阻分割而得到的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻同所述第二电阻的连接点与所述半导体开关元件的控制端子连接，其中，所述下拉电阻与所述输入端子及所述低电位侧端子连接，用于决定该输入端子的输入阻抗。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电压控制型半导体元件与所述元件驱动部形成于不同的半导体芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二分压电路的所述低电位侧端子侧连接有用于抵消所述半导体开关元件的栅极阈值电压的温度依赖性的半导体元件。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件由正向连接的二极管构成。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件由二极管连接形式的半导体开关元件构成。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体开关元件和所述二极管连接形式的半导体开关元件由同种类的N沟道MOSFET构成。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电压控制型半导体元件与所述元件驱动部形成于同一半导体芯片。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电压控制型半导体元件由IGBT和MOSFET中的任一个构成。