[发明专利]用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置

说明书

本专利申请要求于2016年6月20日提交的第10-2016-0076693号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例总体上涉及存储器装置，更具体地，涉及一种产生参考电压的存储器装置。

背景技术

通常，存储器装置被分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置相比于非易失性存储器装置具有较高的读取和写入速度。易失性存储器装置可以包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。

存储器装置已经广泛地用于移动装置和诸如台式计算机的其它电子装置中。存储器装置的容量随着在制造工艺技术方面的进步而持续增大。

为了实现高容量存储器装置，可以在存储器单元中存储两位或更多位。因此，需要能够感测存储在存储器单元中的多个位的存储器装置。

发明内容

发明构思的至少一个实施例涉及一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。

根据发明构思的示例性实施例的存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器以及连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器的开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。

根据发明构思的示例性实施例的存储器装置包括：参考电压产生电路，具有结合在第一字线与第一位线之间的第一存储器单元和结合在第一字线与第二位线之间的第二存储器单元；第三存储器单元，连接到第一字线和第三位线；位线感测放大器，连接到第三位线。参考电压产生电路通过执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享来产生第一参考电压，并且通过执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享来产生第二参考电压。

根据发明构思的示例性实施例的存储器装置包括：控制器，被配置为产生第一控制信号和第二控制信号；第一存储器单元，连接到第一字线和第一位线；第二存储器单元，连接到第一字线和第二位线；第三存储器单元，连接到第一字线和第三位线；位线感测放大器，连接到第三位线；第一开关电路，被配置为响应于第一控制信号而将第一位线连接到第一参考电压线并且将第二位线连接到第二参考电压线；第二开关电路，被配置为响应于第二控制信号而将第一参考电压线和第二参考电压线中的一条参考电压线连接到位线感测放大器。

附图说明

图1是根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图；

图2至图4分别是根据发明构思的示例性实施例的参考电压产生电路的框图；

图5和图6分别是根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图；

图7至图10分别是示出根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的操作的时序图；以及

图11至图15分别是根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图。

具体实施方式

在下文中，将描述发明构思的结合附图的示例性实施例。以下，提供诸如详细的构造和结构的细节以帮助读者理解发明构思的实施例。因此，在不脱离发明构思的实施例的情况下，可以各种地改变或修改在此描述的实施例。

图1是根据发明构思的示例性实施例的存储器装置10的框图。如所示的，存储器装置10包括第一存储器单元(MC)11、第二存储器单元12、第三存储器单元13、位线感测放大器(BLSA)14和开关电路15。参考电压产生电路16包括第一存储器单元11、第二存储器单元12和开关电路15。

第一存储器单元11连接到第一字线WL1和第一位线BL1。第一存储器单元11可以是包括一个n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和一个电容器的动态随机存取存储器(DRAM)单元。当第一字线WL1被施加有高电压时，在第一存储器单元11与第一位线BL1之间可以发生电荷共享(charge sharing)。例如，对存储器单元11和12的晶体管的栅极端子施加高电压使这些晶体管导通并且将存储器单元内的电容器的电压输出到它们相应的位线。