[发明专利]用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

第一存储器单元，连接到第一字线和第一位线；

第二存储器单元，连接到第一字线和第二位线；

第三存储器单元，连接到第一字线和第三位线；

位线感测放大器，连接到第三位线；以及

开关电路，连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器，

其中，第一参考电压通过第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享来产生，第二参考电压通过第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享来产生。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，开关电路将第一参考电压和第二参考电压输出到位线感测放大器。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，开关电路包括：

第一开关电路，被配置为将第一位线连接到第一参考电压线并将第二位线连接到第二参考电压线；

第二开关电路，被配置为将第一位线条连接到第一参考电压线并将第二位线条连接到第二参考电压线；以及

第三开关电路，被配置为将第一参考电压和第二参考电压中的一个参考电压输出到位线感测放大器。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，第一参考电压通过第一存储器单元、第一位线和第一位线条之间的电荷共享来产生，第二参考电压通过第二存储器单元、第二位线和第二位线条之间的电荷共享来产生。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

第四存储器单元，连接到第二字线和第一位线条；以及

第五存储器单元，连接到第二字线和第二位线条。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，第一参考电压通过第一存储器单元、第一位线和第一位线条之间的电荷共享或者第四存储器单元、第一位线条和第一位线之间的电荷共享来产生，第二参考电压通过第二存储器单元、第二位线和第二位线条之间的电荷共享或者第五存储器单元、第二位线条和第二位线之间的电荷共享来产生。

7.根据权利要求3所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

写驱动器，被配置为提供被分别存储在第一存储器单元和第二存储器单元中的电压；以及

第四开关电路，被配置为将写驱动器连接到第一参考电压线和第二参考电压线中的每条。

8.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，位线感测放大器感测第一输入节点与第二输入节点处的电压之间的差以产生感测结果，并且放大感测结果以输出到第一输出节点和第二输出节点。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

第五开关电路，被配置为将第三位线连接到第一输入节点；

第六开关电路，被配置为将第三位线条连接到第一输入节点；以及

电压产生器，连接到第三参考电压线并且被配置为产生第三参考电压，

其中，第三开关电路将第一参考电压线、第二参考电压线和第三参考电压线中的一条参考电压线连接到第二输入节点。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，位线感测放大器包括：

第一电源开关电路，被配置为在预充电模式中接收第三参考电压并且在激活模式中接收比第三参考电压高的驱动电压；

第二电源开关电路，被配置为在预充电模式中接收第三参考电压并且在激活模式中接收比第三参考电压低的驱动电压；

放大器电路，包括第一p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管结合在第一电源开关电路与第二输出节点之间，第二PMOS晶体管结合在第一电源开关电路与第一输出节点之间，其中，第一PMOS晶体管的栅极连接到第一输出节点，第二PMOS晶体管的栅极连接到第二输出节点；

感测电路，包括第三n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第四NMOS晶体管，第三NMOS晶体管结合在第二电源开关电路与第二输出节点之间，第四NMOS晶体管结合在第二电源开关电路与第一输出节点之间，其中，第三NMOS晶体管的栅极连接到第一输入节点，第四NMOS晶体管的栅极连接到第二输入节点；

输入/输出连接电路，包括第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管，第五NMOS晶体管结合在第一输出节点与第一输入节点之间，第六NMOS晶体管结合在第二输出节点与第二输入节点之间；以及

均衡电路，被配置为将第一输出节点连接到第二输出节点。