[发明专利]磁记录介质及磁存储装置在审
| 申请号： | 201710439941.9 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107527633A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 福岛隆之;村上雄二;神边哲也;张磊;丹羽和也;柴田寿人 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/82 | 分类号： | G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁记录介质，包括衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
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