[发明专利]高电压晶体管装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及

晶体管装置，其中，该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。

2.如权利要求1所述的半导体装置，更包含形成于该半导体层上方的隆起源极与漏极区。

3.如权利要求2所述的半导体装置，更包含形成于该半导体层上方的上电极、及形成于该上电极的侧壁上和该隆起源极与漏极区与该上电极之间的侧壁间隔物。

4.如权利要求3所述的半导体装置，更包含另一晶体管装置，其中，该另一晶体管装置包含形成于该半导体层上方的栅极电极。

5.如权利要求1所述的半导体装置，更包含形成于该上电极与该半导体层之间的介电层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该埋置型氧化物层具有约20纳米至30纳米的厚度，并且该半导体层具有约5纳米至20纳米的厚度。

7.一种半导体装置，其包含：

绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；

第一晶体管装置，其包含形成于该半导体层上方的第一栅极电极、及形成于该第一栅极电极与该半导体层之间的第一栅极介电质；以及

第二晶体管装置，其包含形成于该半导体主体基材中的第二栅极电极、及形成于该埋置型氧化物层中的第二栅极介电质。

8.如权利要求7所述的半导体装置，更包含形成于该半导体主体基材中的P型井或N型井。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中，该第一晶体管装置更包含形成于该半导体主体基材中的背栅极。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中，该第二晶体管装置更包含形成于该半导体层上方的背栅极。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其中，该第一晶体管装置包含形成于该半导体层中的第一通道区，并且该第二晶体管装置包含形成于该半导体层中的第二通道区。

12.一种形成半导体装置的方法，其包含：

提供绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；

在该绝缘体上覆硅基材中及上形成第一晶体管装置，其包含：

在该半导体层上形成第一栅极绝缘层；以及

在该第一栅极绝缘层上形成第一栅极电极；以及

在该绝缘体上覆硅基材中形成第二晶体管装置，其包含：

在该半导体主体基材中形成第二栅极电极；以及

在该埋置型氧化物层中形成第二栅极绝缘层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，形成该第一晶体管装置更包含在该半导体层上方形成该第一晶体管装置的第一隆起源极与漏极区，以及其中，形成该第二晶体管装置更包含在该半导体层上方形成该第二晶体管装置的第二隆起源极与漏极区。

14.如权利要求12所述的方法，其中，形成该第一晶体管装置更包含在该半导体层中形成该第一晶体管装置的第一通道区，以及其中，形成该第二晶体管装置更包含在该半导体层中形成该第二晶体管装置的第二通道区。

15.如权利要求12所述的方法，其中，形成该第二晶体管装置更包含由如同形成该第一晶体管装置的该第一栅极电极所用的材料在该半导体层上方形成背栅极。