[发明专利]一种非平面PN结及其制造方法

说明书

本发明提供了一种非平面PN结及其制造方法，非平面PN结由P型半导体和N型半导体衔接形成P‑N结构，其中，所述P型半导体和所述N型半导体的衔接面为非平面，P型半导体和N型半导体衔接的交界面可以为相互配合的波浪形侧面；非平面PN结也可以是由P型半导体、本征半导体以及N型半导体衔接形成P‑I‑N结构，其中，本征半导体设置于P型半导体和N型半导体之间，这样，将形成PN结的P型半导体和N型半导体的交界面设置为非平面结构，增大P型半导体和N型半导体的交界面面积，从而增加光生载流子界面，有助于提高光电转化效率，提高太阳能电池片性能。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术，具体涉及一种非平面PN结及其制造方法。

背景技术

随着科技进步，人们环境保护意识提高，新型能源越来越受到关注，尤其在太阳能发电领域，新技术层出不穷，太阳能电池技术也发展到了一个新高度。

传统的太阳能电池片上设置有上下结构的PN结，若分别在P型半导体和N型半导体焊上金属引线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。

然而，传统的太阳能电池片的P型半导体和N型半导体的交界面基本为平面结构，二者之间形成线型的PN结，光电转化效率较低。

发明内容

本发明是为了克服现有技术而提出的一种非平面PN结及其制造方法，以增加光生载流子界面，提高光电转化效率。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种非平面PN结，所述非平面PN结由P型半导体和N型半导体衔接形成P-N结构，其中，所述P型半导体和所述N型半导体的衔接面为非平面。

优选的，所述P型半导体和所述N型半导体衔接的交界面为相互配合的波浪形侧面。

优选的，所述非平面PN结由所述P型半导体、本征半导体以及所述N型半导体衔接形成P-I-N结构，其中，所述本征半导体设置于所述P型半导体和所述N型半导体之间。

优选的，所述P型半导体与所述本征半导体衔接的交界面为相互配合的波浪形侧面。

优选的，所述N型半导体与所述本征半导体衔接的交界面为相互配合的波浪形侧面。

优选的，所述本征半导体的厚度在1nm-500μm范围内。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种非平面PN结的制造方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在上述衬底上形成第一非平面状半导体；

在上述第一非平面状半导体上形成第二非平面状半导体。

优选的，还包括：

在所述第一非平面状半导体和所述第二非平面状半导体之间存在本征半导体。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种太阳能电池片，包括：

如上述实施例中任一项所述的非平面PN结。

本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由以上实施例可知，本发明通过将形成PN结的P型半导体和N型半导体的交界面设置为非平面结构，增大P型半导体和N型半导体的交界面面积，从而增加光生载流子界面，有助于提高光电转化效率，提高太阳能电池片性能。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

图1是根据一示例性实施例示出的一种非平面PN结的结构示意图；