[发明专利]用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710352132.4 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107026089B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
形成电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在所述源电极和所述漏电极上形成第一氧氮化绝缘膜；
在所述第一氧氮化绝缘膜上形成第二氧氮化绝缘膜；
在所述第二氧氮化绝缘膜上形成与该第二氧氮化绝缘膜相接触的氮化物绝缘膜，
其中，所述第二氧氮化绝缘膜的蚀刻速率低于所述第一氧氮化绝缘膜的蚀刻速率，
其中，通过使用包含氨的源气体在高于或等于200℃且低于或等于370℃的衬底温度下形成所述氮化物绝缘膜，且
其中，热脱附谱分析中从所述氮化物绝缘膜释放的氨分子的量小于或等于2.0×1020分子/cm3。
2.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
形成电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在所述源电极和所述漏电极上形成第一氧氮化绝缘膜；
在所述第一氧氮化绝缘膜上形成第二氧氮化绝缘膜；
在所述第二氧氮化绝缘膜上形成与该第二氧氮化绝缘膜相接触的氮化物绝缘膜，
其中，所述第二氧氮化绝缘膜的蚀刻速率低于所述第一氧氮化绝缘膜的蚀刻速率，
其中，通过使用包含氨和氮的源气体在高于或等于200℃且低于或等于370℃的衬底温度下形成所述氮化物绝缘膜，且
其中，所述氮的流量是所述氨的流量的5倍至50倍。
3.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在形成所述氧化物半导体膜之后进行第一加热处理；
形成电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在所述源电极和所述漏电极上形成第一氧化物绝缘膜；
在所述第一氧化物绝缘膜上形成第二氧化物绝缘膜；
通过第二加热处理将氧从所述第一氧化物绝缘膜移动到所述氧化物半导体膜；
在进行了所述第二加热处理之后，在所述第二氧化物绝缘膜上形成与该第二氧化物绝缘膜相接触的氮化物绝缘膜，
其中，在高于或等于200℃且低于450℃的温度下进行大于或等于3分钟且小于24小时的所述第一加热处理，
其中，所述第二氧化物绝缘膜的蚀刻速率低于所述第一氧化物绝缘膜的蚀刻速率，
其中，通过使用包含氨的源气体在高于或等于200℃且低于或等于370℃的衬底温度下形成所述氮化物绝缘膜，且
其中，热脱附谱分析中从所述氮化物绝缘膜释放的氨分子的量小于或等于2.0×1020分子/cm3。
4.一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在形成所述氧化物半导体膜之后进行第一加热处理；
形成电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在所述源电极和所述漏电极上形成第一氧化物绝缘膜；
在所述第一氧化物绝缘膜上形成第二氧化物绝缘膜；
通过第二加热处理将氧从所述第一氧化物绝缘膜移动到所述氧化物半导体膜；
在进行了所述第二加热处理之后，在所述第二氧化物绝缘膜上形成与该第二氧化物绝缘膜相接触的氮化物绝缘膜，
其中，在高于或等于200℃且低于450℃的温度下进行大于或等于3分钟且小于24小时的所述第一加热处理，
其中，所述第二氧化物绝缘膜的蚀刻速率低于所述第一氧化物绝缘膜的蚀刻速率，
其中，通过使用包含氨和氮的源气体在高于或等于200℃且低于或等于370℃的衬底温度下形成所述氮化物绝缘膜，且
其中，所述氮的流量是所述氨的流量的5倍至50倍。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
