[发明专利]常压下具有金属特性的Mx′相VO2纳米材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710345566.1 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN106966432B 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 李全军;张华芳;关洲;申鹏飞;董青;刘冰冰 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C01G31/02 分类号: C01G31/02
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 压下 具有 金属 特性 mx vo2 纳米 材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于制备VO2纳米材料的技术领域,具体涉及利用钨掺杂的VO2(R) 纳米颗粒通过高压的方法制备具有金属特性的VO2纳米材料的新方法。

背景技术

VO2是一种重要的功能材料,具有独特的电学、光学和磁学等性质,在智能玻璃、电学开关、气敏电阻、锂电池数据存储等领域有着重要的应用前景。在自然界中,具有半导体特性的VO2晶体有很多种,包括:VO2(M1)、VO2(A)、 VO2(B)、VO2(C)和VO2(D),然而,具有金属特性的VO2晶体只有VO2 (R)。近年来随着材料制备技术的不断发展,制备出了更多新型VO2结构,例如通过掺杂得到的M2、M3和T相,然而这些结构均为半导体相。目前为止,具有金属特性VO2材料的制备仍是一项具有挑战性的工作。

高压可以有效调节材料结构和性质,是制备具有新结构、新性质的材料的一种新方法。目前,人们已经开始利用高压的手段来探索可能存在的各种VO2新结构。在高压下,实验上已经发现了具有金属特性的M1'、Mx相VO2的同质异形体,但是,这些金属相在卸压过程中分别转变为具有半导体特性的M1相和另一个在常压下可以稳定存在的、具有半导体特性的新结构Mx'相。到目前为止,国内及国外尚未见有关对VO2(Mx')进行W掺杂方面的研究报道。

发明内容

本发明的目的就提供一种利用掺杂和高压手段来制备具有金属特性Mx'相 VO2纳米材料的方法。以钨掺杂的R相VO2纳米颗粒为原料,经过高压处理获得常压下具有金属特性的Mx'相VO2纳米颗粒的方法。

其步骤可以为:利用砧面为200μm的金刚石对顶砧压机预压铼片,并在压痕中心钻直径为100μm的孔洞。将适量W掺杂的R相VO2纳米颗粒填装到铼片的孔洞中,再添加红宝石微球作为压标(检测压腔内的压力),滴加体积比为 4∶1的甲/乙醇混合溶液作为传压介质或者硬压,封好压机,进行加压。当压力升高至~64GPa时,卸压至常压,即可得到具有金属特性的Mx'相VO2纳米颗粒。具体的制备过程简述如下。

一种常压下具有金属特性的Mx'相VO2纳米材料的制备方法,以金刚石对顶砧压机为加压装置;以W掺杂的R相VO2纳米颗粒为原料;将原料填满样品腔,或将原料填装到样品腔再滴加甲/乙醇混合溶液作为传压介质,进行加压;在压力升高至64GPa或更高时卸压,得到具有金属特性的Mx'相VO2纳米颗粒。

所述的甲/乙醇混合溶液,可以是甲醇、乙醇体积比为4∶1的混合溶液。

本发明所用的钨掺杂的R相VO2纳米颗粒原料最好按下述的过程制备:将 V2O5、草酸和Na2WO4·2H2O加入去离子水中,搅拌至透明,其中W和V的摩尔比为10:100;然后转移到反应釜中密封,在190℃下保温24小时;反应结束后自然冷却,产物用酒精及去离子水洗涤,真空干燥后在氩气保护下600℃煅烧3小时。

本发明中,现有技术制备出的钨掺杂的VO2(R)纳米颗粒虽然可以用来制备具有金属特性的Mx'相VO2纳米颗粒,但效果较本发明给出的方法差很多。故对钨掺杂的VO2(R)纳米颗粒的制备过程的反应物种类和反应过程进行了进一步调整。本发明制备过程中以为五氧化二钒为钒源、草酸为还原剂、钨酸钠为钨源,反应过程为水热和煅烧法。水热反应中反应物溶液在反应釜中的填充率为 0.6、反应温度为190℃、反应时间为24小时。水热产物经洗涤、冷冻干燥后在氩气氛围中600℃煅烧3h,即可得到形貌均一、结晶性好的钨掺杂的VO2(R)纳米颗粒。

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