[发明专利]高铅半导体助焊膏、制备方法以及锡膏

说明书

本发明提供一种高铅半导体助焊膏，以重量百分比计算，所述高铅半导体助焊膏包括以下组分：松香20‑30％、树脂1‑5％、高沸点溶剂20‑30％、触变剂2‑4％、有机活性剂6‑8％、高温活性剂1‑3％、抗氧剂1‑3％、一元酸1‑2％、有机胺1‑3％、活化剂19.5‑25％。本发明还提供一种高铅半导体助焊膏的制备方法以及高铅半导体锡膏。本发明的助焊膏活性较高，扩展率大，与高铅合金的相容性强，制得的高铅半导体锡膏适用于在高温环境下工作的大功率半导体器件封装焊接，锡膏与金、铜、银相熔性好，焊接强度大，焊后表面绝缘阻抗高，产品可靠性强。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装领域，具体涉及一种高铅半导体助焊膏、制备方法以及锡膏。

背景技术

半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分,通常所指的半导体组装(assembly)可定义为：利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(chip)和框架(leadframe)或基板(sulbstrate)或塑料薄片(film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。

电子产品的寿命长短一大部分取决于半导体器件的焊接情况，电子产品的高寿命要求产品能耐高低温及高湿度等恶劣环境。助焊膏作为锡膏的重要组成部分，助焊膏的性能影响着锡膏的使用效果，由于现有的助焊膏，活性低，溶解能力较弱，与合金的相容性差，从而导致锡膏性能差，现有的助焊膏所制得的锡膏应用于半导体器件的焊接时，焊接强度小，锡膏流动性小，容易造成焊接不良并造成空洞，特别是大功率的半导体器件，处在高温环境中时，焊接后强度明显不足，而且现有的锡膏对于镀金、镀铜、镀银等产品的相容性比较差，在应用于这些产品上时，强度也明显不足。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种高铅半导体助焊膏、制备方法以及锡膏，经过大量的研究和实验，本发明的高铅半导体助焊膏，活性高，扩展率大，与高铅合金的相容性强，制得的高铅半导体锡膏适用于在高温环境下工作的大功率半导体器件封装焊接，锡膏与金、铜、银相熔性好，焊接强度大，焊后表面绝缘阻抗高，产品可靠性强。

本发明的第一方面提供一种高铅半导体助焊膏，以重量百分比计算，所述高铅半导体助焊膏包括以下组分：松香20-30％、树脂1-5％、高沸点溶剂20-30％、触变剂2-4％、有机活性剂6-8％、高温活性剂1-3％、抗氧剂1-3％、一元酸1-2％、有机胺1-3％、活化剂19.5-25％。

进一步的，以重量百分比计算，所述高铅半导体助焊膏包括以下组分：松香25-30％、树脂1-5％、高沸点溶剂25-30％、触变剂2-4％、有机活性剂6-8％、高温活性剂1-3％、抗氧剂1-3％、一元酸1-2％、有机胺1-3％、活化剂19.5-21％。

进一步的，所述活化剂包括按在所述活化剂中的重量百分比计算的以下组分：多元酸9-12％、二元酸3-6％、醇类溶剂80-85％。

进一步的，所述活化剂包括按在所述活化剂中的重量百分比计算的以下组分：多元酸10.08％、二元酸5.24％、醇类溶剂84.68％。

进一步的，所述醇类溶剂为以下中至少一种：二乙二醇辛醚、二乙二醇己醚、2-乙基-1,3-己二醇、三乙二醇丙醚、乙二醇苯醚。

本发明第二方面提供一种高铅半导体助焊膏的制备方法，包括以下步骤：

(1)依次往一容器中加入松香20-30wt.％、树脂1-5wt.％、高沸点溶剂20-30wt.％、触变剂2-4wt.％、有机活性剂6-8wt.％、高温活性剂1-3wt.％、抗氧剂1-3wt.％、一元酸1-2wt.％，加热并不断搅拌至全部溶解，加热温度不高于150℃；

(2)停止加热，将(1)中的混合物冷却至50-60℃；

(3)加入有机胺1-3wt.％和活化剂19.5-25wt.％，搅拌均匀得成品。