[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法

权利要求书

1.一种NOR型浮栅存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；

形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；

形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；

形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层；

形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层；

形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅；

形成在所述控制栅的上方的字线；

所述源极和所述漏极复用为位线。

2.根据权利要求1所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层为的介电常数大于或等于9。

3.根据权利要去2所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层的材料为钽基氧化物薄膜、铝基氧化物薄膜、铪基氧化物薄膜以及锆基氧化物薄膜中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的NOR型浮栅存储器，其特征在于，

所述层间绝缘层的厚度范围为小于或等于

5.一种针对权利要求1～4的所述NOR型浮栅存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；

在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅；

在所述浮栅侧壁形成侧壁绝缘层；

在所述源极和所述漏极上方形成隔离绝缘层；

在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上方形成控制栅；

在所述控制栅的上方形成字线；

所述源极和所述漏极复用为位线。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅；在所述浮栅侧壁形成侧壁绝缘层具体包括：

在所述衬底表面形成沟道区；

在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层、浮栅和保护绝缘层；

刻蚀所述隧穿氧化层、所述浮栅和所述保护绝缘层形成多个凹槽，露出所述凹槽两侧的所述沟道区；

在所述浮栅的侧壁形成侧壁绝缘层；

在所述凹槽两侧的所述沟道区表面形成源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

在所述凹槽两侧的所述沟道区表面形成源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧之后，还包括：

在所述源极和所述漏极上方形成隔离绝缘层；

去除所述保护绝缘层，露出所述浮栅。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅具体包括：

在所述衬底依次上方形成隧穿氧化层和临时隔离绝缘层；

刻蚀所述隧穿氧化层和临时隔离绝缘层形成多个凹槽，露出所述衬底；

在所述衬底表面依次形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅；

去除所述临时隔离绝缘层和所述临时隔离绝缘层下方的所述隧穿氧化层，在所述衬底表面形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述沟道区的两侧。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述层间绝缘层为的介电常数大于或等于9。

10.根据权利要去9所述的制备方法，其特征在于，

所述层间绝缘层的材料为钽基氧化物薄膜、铝基氧化物薄膜、铪基氧化物薄膜以及锆基氧化物薄膜中的任意一种。