[发明专利]一种NOR型浮栅存储器及制备方法在审
申请号: | 201710329509.4 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN108878430A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 冯骏 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏极 源极 侧壁绝缘层 浮栅存储器 隔离绝缘层 沟道区 控制栅 浮栅 制备 层间绝缘层 复用 减小 位线 隧穿氧化层 衬底表面 存储单元 浮栅侧壁 器件结构 衬底 电阻 字线 | ||
1.一种NOR型浮栅存储器,其特征在于,包括:
衬底;
形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;
形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅;
形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层;
形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层;
所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层;
形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅的上方的层间绝缘层;
形成在所述层间绝缘层上方的控制栅;形成在所述控制栅上方的字线;
所述源极和所述漏极复用为位线。
2.根据权利要求1所述的NOR型浮栅存储器,其特征在于,
所述层间绝缘层为的介电常数大于或等于9。
3.根据权利要去2所述的NOR型浮栅存储器,其特征在于,
所述层间绝缘层的材料为钽基氧化物薄膜、铝基氧化物薄膜、铪基氧化物薄膜以及锆基氧化物薄膜中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的NOR型浮栅存储器,其特征在于,
所述层间绝缘层的厚度范围为小于等于
5.一种针对权利要求1~4的所述NOR型浮栅存储器的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;
在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅;
在所述浮栅侧壁形成侧壁绝缘层;
在所述源极和所述漏极的上方形成隔离绝缘层;
所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层;
在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上方形成控制栅;在所述控制栅的上方形成字线;
所述源极和所述漏极复用为位线。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,
在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅具体包括:
在所述衬底依次上方形成隧穿氧化层和临时隔离绝缘层;
刻蚀所述隧穿氧化层和临时隔离绝缘层形成多个凹槽,露出所述衬底;
在所述衬底表面依次形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅;
去除所述临时隔离绝缘层和所述临时隔离绝缘层下方的所述隧穿氧化层,在所述衬底表面形成源极和漏极,所述源极和所述漏极分别位于所述沟道区的两侧。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,
在所述源极和所述漏极的上方形成隔离绝缘层;所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层具体包括:
在所述源极和所述漏极的上方形成隔离绝缘层;
刻蚀部分所述隔离绝缘层和部分所述侧壁绝缘层,使所述浮栅高于所述侧壁绝缘层和所述隔离绝缘层。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,
在所述衬底表面形成源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层和浮栅;在所述浮栅侧壁形成侧壁绝缘层具体包括:
在所述衬底表面形成沟道区;
在所述沟道区上方依次形成隧穿氧化层、浮栅和保护绝缘层;
刻蚀所述隧穿氧化层、所述浮栅和所述保护绝缘层形成多个凹槽,露出所述凹槽两侧的所述沟道区;
在所述浮栅的侧壁形成侧壁绝缘层;
在所述凹槽两侧的所述沟道区表面形成源极和漏极,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的