[发明专利]多芯片集成式CQFP陶瓷外壳及其制作方法

权利要求书

1.高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳，其特征是CQFP陶瓷封装外壳外形尺寸为25.4mm×25.4mm×3.0mm，内部腔体尺寸为21.8×21.8×1.25mm，外部引线节距为1.27mm，内部导线间距为0.1mm~0.15mm。

2.根据权利要求1所述的高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳，其特征是CQFP陶瓷封装外壳瓷件部分一共包含8层布线，内部通孔全部为0.12mm孔径，信号线所在各层采用常规的HTCC布线设计方法，信号线之间的屏蔽层采用网格布线，且网格层之间采用错位排布布线。

3.根据权利要求1所述的高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳，其特征是CQFP陶瓷封装外壳内部导线间距为导线之间绝缘电阻大于1×10¹⁰Ω（500V），射频端传输电阻小于100mΩ，引线间电容小于8pF，同时满足具有高绝缘性以及可通过大电流的要求，且具有良好的气密性与可靠性，满足国军标的各项性能指标要求。

4.如权利要求1所述的高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳的制造方法，其特征是包括如下步骤：

1）采用以高绝缘微晶陶瓷为基材，适合HTCC工艺的流延生瓷带，同时采用低电阻率钨印刷浆料作为金属化浆料，根据产品金属化布线要求进行逐层打孔，填孔，印刷，开腔，叠片，层压，生切操作；

2）将生瓷件在适合绝缘微晶陶瓷与低电阻率钨印刷浆料共烧的烧结制度下进行烧结，烧结温度为1500℃～1600℃，氢气保护；

3）将烧结后的瓷件进行化学镀镍，镍层厚度为0.7μm～1.5μm，然后进行热处理，热处理温度为780℃～850℃，惰性气体或还原性气体保护；同时将金属引线与金属框架在特定的热处理制度下进行热处理，热处理温度为1000℃～1200℃，惰性气体或还原性气体保护，随炉冷却；

4）将金属引线与金属框架分别通过陶瓷模具焊接在瓷件的相应位置，焊料为银铜合金焊料，钎焊温度为780℃～850℃，钎焊气氛为惰性气体或还原性气体保护；

5）对钎焊好的外壳进行电镀镍电镀金，根据产品内腔键合或芯片焊接方式的不同，通过采用电镀保护胶进行局部保护镀覆的方式，实现内腔图形的芯片区镍层厚度为1.3μm～8.9μm，金层厚度为0.1μm～0.5μm；引线，焊环区镍层厚度为1.3μm～8.9μm，金层厚度为1.3μm～5.7μm。

5.如权利要求4所述的高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳的制造方法，其特征是所述的高绝缘微晶陶瓷为黑色低损耗陶瓷，其介质损耗小于9×10^-3（DC～40GHz）。

6.如权利要求4所述的高绝缘性低引线间电容多芯片集成式CQFP陶瓷外壳的制造方法，其特征是所述的低电阻率钨印刷浆料为可与高绝缘精细陶瓷共烧匹配的金属化浆料，其方阻小于6mΩ/□。