[发明专利]彩膜基板及其制作方法在审
申请号: | 201710302356.4 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN106950733A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 莫碧胜 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1333;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩膜基板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
随着移动互联网的迅猛发展,智能手机等智能移动设备已经成为人们生活中必不可少的一个设备,但目前智能移动设备等移动用电显示器件通常采用内置的充电电池供电,续航能力普遍不能够满足人们需求,智能移动设备耗电量最多的就是显示屏。传统智能移动设备的液晶显示面板中,通常会在彩膜基板一侧制作一层黑色矩阵(BM,Black Matrix),其功能仅限于分割相邻色阻,遮挡色彩的空隙,防止漏光或者混色,功能不够丰富,未能对应显示面板内的空间进行充分的利用。
发明内容
本发明的目的在于一种彩膜基板,能够提升移动用电显示器件的续航能力,提升产品竞争力和用户体验。
本发明的目的还在于一种彩膜基板的制作方法,能够提升移动用电显示器件的续航能力,提升产品竞争力和用户体验。
为实现上述目的,本发明提供了一种彩膜基板,包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的太阳能发电层、设于所述衬底基板上且被所述太阳能发电层间隔开的多个阵列排布的色阻块、设于所述色阻块和太阳能发电层上的有机平坦层、设于所述有机平坦层上的公共电极、以及设于所述公共电极上的隔垫物;
所述太阳能发电层包括:设于所述衬底基板上的阳极、设于所述阳极上的半导体层、及设于所述半导体层上的阴极,所述有机平坦层中形成有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述阳极的一部分,所述第二过孔暴露出所述阴极的一部分。
所述衬底基板包括:显示区以及包围所述显示区的非显示区,所述第一过孔和第二过孔均位于所述非显示区中。
所述阳极的材料为透明导电氧化物,所述阴极的材料为金属。
所述公共电极的材料为ITO。
本发明还提供一种彩膜基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成太阳能发电层,所述太阳能发电层包括:设于所述衬底基板上的阳极、设于所述阳极上的半导体层、及设于所述半导体层上的阴极,所述太阳能发电层中形成有多个阵列排布的镂空区;
步骤S2、在衬底基板上的所述太阳能发电层的镂空区内形成多个阵列排布的色阻块;
步骤S3、在所述色阻块和太阳能发电层上依次形成有机平坦层和公共电极;
所述有机平坦层中形成有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露出所述阳极的一部分,所述第二过孔暴露出所述阴极的一部分;
步骤S4、在所述公共电极上形成隔垫物。
所述步骤S1具体包括:
步骤S11、在所述衬底基板上依次沉积阳极薄膜、半导体薄膜、以及阴极薄膜,形成太阳能发电薄膜;
步骤S12、通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述太阳能发电薄膜,去除待形成色阻块的区域内的全部太阳能发电薄膜,去除待形成阳极触点的区域内的半导体薄膜和阴极薄膜,得到太阳能发电层。
所述步骤S1具体包括:
步骤S11’、在所述衬底基板上沉积并图案化阳极薄膜,去除待形成色阻块的区域内的阳极薄膜,得到阳极;
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