[发明专利]彩膜基板及其制作方法

权利要求书

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的太阳能发电层(2)、设于所述衬底基板(1)上且被所述太阳能发电层(2)间隔开的多个阵列排布的色阻块(3)、设于所述色阻块(3)和太阳能发电层(2)上的有机平坦层(5)、设于所述有机平坦层(5)上的公共电极(6)、以及设于所述公共电极(6)上的隔垫物(7)；

所述太阳能发电层(2)包括：设于所述衬底基板(1)上的阳极(21)、设于所述阳极(21)上的半导体层(22)、及设于所述半导体层(22)上的阴极(23)，所述有机平坦层(5)中形成有第一过孔(24)和第二过孔(25)，所述第一过孔(24)暴露出所述阳极(21)的一部分，所述第二过孔(25)暴露出所述阴极(23)的一部分。

2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述衬底基板(1)包括：显示区(11)以及包围所述显示区(11)的非显示区(12)，所述第一过孔(24)和第二过孔(25)均位于所述非显示区(12)中。

3.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述阳极(21)的材料为透明导电氧化物，所述阴极(23)的材料为金属。

4.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述公共电极(6)的材料为ITO。

5.一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成太阳能发电层(2)，所述太阳能发电层(2)包括：设于所述衬底基板(1)上的阳极(21)、设于所述阳极(21)上的半导体层(22)、及设于所述半导体层(22)上的阴极(23)，所述太阳能发电层(2)中形成有多个阵列排布的镂空区；

步骤S2、在衬底基板(1)上的所述太阳能发电层(2)的镂空区内形成多个阵列排布的色阻块(3)；

步骤S3、在所述色阻块(3)和太阳能发电层(2)上依次形成有机平坦层(5)和公共电极(6)；

所述有机平坦层(5)中形成有第一过孔(24)和第二过孔(25)，所述第一过孔(24)暴露出所述阳极(21)的一部分，所述第二过孔(25)暴露出所述阴极(23)的一部分；

步骤S4、在所述公共电极(6)上形成隔垫物(17)。

6.如权利要求5所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

步骤S11、在所述衬底基板(1)上依次沉积阳极薄膜(21’)、半导体薄膜(22’)、以及阴极薄膜(23’)，形成太阳能发电薄膜(2’)；

步骤S12、通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述太阳能发电薄膜(2’)，去除待形成色阻块的区域内的全部太阳能发电薄膜(2’)，去除待形成阳极触点的区域内的半导体薄膜(22’)和阴极薄膜(23’)，得到太阳能发电层(2)。

7.如权利要求5所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

步骤S11’、在所述衬底基板(1)上沉积并图案化阳极薄膜(21’)，去除待形成色阻块的区域内的阳极薄膜(21’)，得到阳极(21)；

步骤S12’、在所述阳极(21)和衬底基板(1)上依次沉积半导体薄膜(22’)、及阴极薄膜(23’)；

步骤S13’、通过一道光罩同时图案化所述半导体薄膜(22’)及阴极薄膜(23’)，去除待形成色阻块的区域和待形成阳极触点的区域内的半导体薄膜(22’)及阴极薄膜(23’)，得到太阳能发电层(2)。

8.如权利要求6或7所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

步骤S31、在所述色阻块(3)和太阳能发电层(2)上沉积并图案化有机平坦层薄膜，得到有机平坦层(5)、第一过孔(24)、及第二过孔(25)，所述第一过孔(24)贯穿所述有机平坦层(5)暴露出所述阳极(21)的一部分，所述第二过孔(25)贯穿位于待阳极触点的区域内的有机平坦层(5)暴露出所述阴极(23)的一部分；

步骤S32、在所述有机平坦层(5)上沉积公共电极薄膜，图案化所述公共电极薄膜，去除所述第一过孔(24)、及第二过孔(25)上方的公共电极薄膜，得到公共电极(6)。