[发明专利]一种闪存单元器件及闪存

权利要求书

1.一种闪存单元器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，其中，所述源区和所述漏区分别与所述沟道区连接，所述漏区包括多个相互隔离的子漏区；

位于所述沟道区上方的浮栅层和位于所述浮栅层上方的控制栅层，所述浮栅层与所述沟道区之间、所述浮栅层与所述控制栅层之间、以及覆盖所述控制栅层的均为氧化物隔离区域，所述浮栅层包括多个相互隔离的浮栅块，浮栅块的个数与子漏区的个数相同。

2.如权利要求1所述的闪存单元器件，其特征在于，各个相互隔离的子漏区均为条状浮栅块，沿着所述源区与所述漏区之间的垂线方向并列排布，其中，相邻的条状浮栅块之间为氧化物隔离层。

3.如权利要求2所述的闪存单元器件，其特征在于，各个相互隔离的子漏区沿着所述源区与所述漏区之间的垂线方向并列排布。

4.一种闪存，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一所述的闪存单元器件，所述闪存还包括：

引线层；

读出电路，所述读出电路通过所述引线层与所述漏区中的全部数量或部分数量的子漏区一一对应的连接；

表决电路，包括N个输入端口，所述表决电路的N个输入端口与所述读出电路中全部或部分输出端口一一对应的连接，N为大于1的奇数。

5.如权利要求4所述的闪存，其特征在于，如果所述漏区包括相互隔离的M个子漏区，M为大于N的整数；

所述读出电路中的输入端口、输出端口，所述引线层中的金属引线，以及所述表决电路中的输入端口的数目均相同，且为少于所述漏区中子漏区个数的奇数，其中，所述读出电路的输入端口通过对应的金属引线与所述漏区中的任意部分子漏区一一对应的连接。

6.如权利要求5所述的闪存，其特征在于，所述读出电路为读出电路单体结构，或者

所述读出电路由相互独立、且少于所述漏区中子漏区个数的奇数个数据读取子电路组成，其中，每个数据读取子电路包括一输入端口和一输出端口。

7.如权利要求4所述的闪存，其特征在于，如果所述漏区包括相互隔离的M个子漏区，M为大于N的整数；

所述读出电路中的输入端口、输出端口以及所述引线层中的金属引线均与所述漏区的子漏区个数相同，所述读出电路的输入端口通过对应的金属引线与所述M个子漏区一一对应的连接。

8.如权利要求7所述的闪存，其特征在于，所述读出电路为读出电路单体结构，或者

所述读出电路由相互独立的等于所述漏区的子漏区个数的奇数个数据读取子电路组成，其中，每个数据读取子电路包括一输入端口和一输出端口。