[发明专利]紫外光发光二极管封装结构、紫外光发光单元及其制造方法

权利要求书

1.一种紫外光发光单元，其特征在于，所述紫外光发光单元包括：

一承载板；

一紫外光发光二极管芯片，其安装于所述承载板上，并且所述紫外光发光二极管芯片具有一顶面及邻接所述顶面的一环侧面，所述顶面具有一中心区域及围绕于所述中心区域并相连于所述环侧面的一外围区域；

一侧透镜，设置于所述承载板上，并且所述紫外光发光二极管芯片的所述环侧面被所述侧透镜覆盖；以及

一防水层，包覆于所述侧透镜的一外表面及所述紫外光发光二极管芯片的所述顶面的所述外围区域；

其中，所述防水层的水气穿透率小于所述侧透镜的水气穿透率，且所述侧透镜与所述防水层的水气穿透率的比值至少大于10；

其中，所述侧透镜的所述外表面包含有多个平面、多个凹曲面、或多个凸曲面，并且多个所述平面的顶缘、多个所述凹曲面的顶缘、或多个所述凸曲面的顶缘相连于所述顶面的边缘，而多个所述平面的底缘、多个所述凹曲面的底缘、或多个所述凸曲面的底缘相连于所述承载板的边缘。

2.依据权利要求1所述的紫外光发光单元，其特征在于，所述承载板具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面，并且所述外表面的底缘至少相连所述第一板面的边缘，所述承载板还包含：

一电极层，位于所述第一板面，并且所述紫外光发光二极管芯片电性连接所述电极层上；

一焊垫层，位于所述第二板面；

多个导电柱，埋置于所述承载板内，并且每个所述导电柱的两端分别连接所述电极层与所述焊垫层；及

一反射层，位于所述第一板面并围绕于所述紫外光发光二极管芯片，并且所述反射层埋置于所述侧透镜。

3.依据权利要求1所述的紫外光发光单元，其特征在于，所述紫外光发光二极管芯片包含设置于蓝宝石基底上的多层AlxGa1-xN薄膜，其中x0.2，所述紫外光发光二极管芯片所能发出的光线波长小于324纳米，而所述紫外光发光二极管芯片的光形图呈蝠翼状。

4.依据权利要求1所述的紫外光发光单元，其特征在于，所述防水层包覆于所述承载板的外侧缘，所述防水层的材质为无定形氟树脂，并且所述无定形氟树脂具有的末端官能基为-CONH～Si(OR)n。

5.依据权利要求1所述的紫外光发光单元，其特征在于，所述侧透镜是由氟素高分子或聚二甲基硅氧烷所制成，所述防水层是由氟素高分子或无机二氧化硅薄膜所制成，且所述防水层进一步包覆所述承载板的外侧缘。

6.一种紫外光发光二极管封装结构，其特征在于，所述紫外光发光二极管封装结构包括：

一紫外光发光单元，包含：

一承载板；

一紫外光发光二极管芯片，其安装于所述承载板上，并且所述紫外光发光二极管芯片具有一顶面及邻接所述顶面的一环侧面，所述顶面具有一中心区域及围绕于所述中心区域并相连于所述环侧面的一外围区域；

一侧透镜，其由氟素高分子或聚二甲基硅氧烷所制成，所述侧透镜设置于所述承载板上，并且所述紫外光发光二极管芯片的所述环侧面被所述侧透镜覆盖；及

一防水层，其由氟素高分子或无机二氧化硅薄膜所制成，所述防水层包覆于所述侧透镜的一外表面、所述紫外光发光二极管芯片的所述顶面的所述外围区域，所述防水层的水气穿透率(steam permeability)小于所述侧透镜的水气穿透率，且所述侧透镜与所述防水层的水气穿透率的比值至少大于10；其中，所述侧透镜的所述外表面包含有多个平面、多个凹曲面、或多个凸曲面，并且多个所述平面的顶缘、多个所述凹曲面的顶缘、或多个所述凸曲面的顶缘相连于所述顶面的边缘，而多个所述平面的底缘、多个所述凹曲面的底缘、或多个所述凸曲面的底缘相连于所述承载板的边缘；

一基板，所述紫外光发光单元固定于所述基板上；

一侧墙，其连接于所述基板并且围绕于所述紫外光发光单元的外侧；

一透光组件，其固定于所述侧墙上，并且所述透光组件、所述侧墙及所述基板包围形成有容置所述紫外光发光单元的一封闭空间；以及

一防水膜，包覆于所述基板的外侧缘、所述侧墙的外侧缘及所述透光组件的至少局部外侧缘。