[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。

背景技术

平面显示器己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(Liquid Crysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ay Pane1，PDP)及场发射显示器(Field Emission Display，FED)等。

图1为现有技术的一种平面显示器的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：设置在衬底基板01之上的遮光层02、设置在遮光层02之上的缓冲层03(Buffer)、设置缓冲层03之上的有源层04、设置在有源层04之上的栅极绝缘层05(Gate Insulator，GI)、设置在栅极绝缘层05之上的栅极06、设置在栅极06之上的层间介质层07(Interlayer Dielectric Film，ILD)、设置在层间介质层07之上的源漏极层、设置在源漏极层之上的平坦层011、设置在平坦层011之上的触控电极012(复用做公共电极)层、设置在触控电极012之上的钝化层013(Passivation，PVX)、以及设置在钝化层013之上的像素电极014，其中，源漏极层包括源极08、漏极09以及与源极08和漏极09同层设置的触控信号线010，像素电极014通过第一过孔015与漏极09连接，触控电极012通过第二过孔016与触控信号线010连接，有源层04包括沟道区041、位于沟道区041一侧的源区042、位于沟道区041另一侧的漏区043、位于沟道区041与源区042之间的第一轻掺杂漏区044、以及位于沟道区041与漏区043之间的第二轻掺杂漏区045，漏极09通过第三过孔018与漏区043连接，源极08通过第四过孔017与源区042连接。

在阵列基板的制作过程中，在源漏极层上的平坦层011形成导通漏极09与像素电极014的第一过孔015后，通常需对平坦层011进行干刻处理(Descum)以加强平坦层011与其它膜层(例如，触控电极012)的粘附性。但在干刻处理的过程中，由于漏极09在第一过孔015处被暴露，会导致第一过孔015暴露出来的漏极09会被氧化，进而使漏极09与像素电极014之间的电阻较大，造成最终显示不良的问题。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法，以解决由于漏极被氧化而导致的漏极与像素电极之间的接触电阻较大时产生的显示不良的问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板之上具有源极和漏极的源漏极层，设置在所述源漏极层之上的平坦层，以及设置在所述平坦层之上的像素电极，所述平坦层设置有导通所述像素电极和所述漏极的第一过孔，所述阵列基板在所述第一过孔的所述漏极和所述像素电极之间还设置有第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性。

优选的，所述阵列基板还包括：与所述源漏极层同层设置的触控信号线、设置在所述平坦层与所述像素电极之间的触控电极、以及设置在所述触控电极与所述像素电极之间的钝化层，所述平坦层设置有导通所述触控电极与所述触控信号线的第二过孔，所述阵列基板在所述第二过孔的所述触控电极与所述触控信号线之间还设置有第二金属保护电极，所述第二金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第二过孔暴露的所述触控信号线在所述衬底基板上的正投影，所述第二金属保护电极的还原性小于所述触控信号线的还原性。

优选的，所述触控电极为触控感应电极，所述触控信号线为触控感应信号线；或者，所述触控电极为触控驱动电极，所述触控信号线为触控驱动信号线。

优选的，所述触控信号线与所述源极和漏极材质相同，所述第一金属保护电极和所述第二金属保护电极的材质相同。

优选的，所述源极、所述漏极以及所述触控信号线为钛/铝/钛，所述第一金属保护电极和所述第二金属保护电极为金属钼。