[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

保护元件，电流在所述保护元件中在第一方向上流动；以及

与所述保护元件耦接的镇流电阻；

其中所述镇流电阻包括：

在所述第一方向上延伸的第一电阻元件；

在所述第一方向上延伸的第二电阻元件，所述第二电阻元件与所述第一电阻元件并联地耦接；

第一布线，电连接到第一端子以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件；以及

第二布线，电连接到所述保护元件以及所述第一电阻元件和所述第二电阻元件，并布置在所述第一布线之上以使得在平面图中所述第二布线与所述第一布线交迭；

其中所述第一电阻元件被布置为沿着所述第一方向靠近所述第二电阻元件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一布线布置在所述第一电阻元件和所述第二布线之间，以及

其中所述第一布线布置在所述第二电阻元件和所述第二布线之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一电阻元件具有第一端部和第二端部；

其中所述第二电阻元件具有第三端部和第四端部，

其中所述第二端部和所述第三端部位于所述第一端部与所述第四端部之间，

其中所述第一布线经由第一接触件电连接到所述第二端部和所述第三端部；以及

其中所述第二布线经由第二接触件电连接到所述保护元件以及所述第一端部和所述第四端部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一端子是输入电源电位的焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述镇流电阻包括多个电阻，以及

其中所述电阻中的每一个包括所述第一电阻元件、所述第二电阻元件、所述第一布线以及所述第二布线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护元件包括双极晶体管并且所述第一方向为布置集电极、基极和发射极的方向。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护元件包括MOS晶体管并且所述第一方向为所述MOS晶体管的沟道长度方向。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护元件包括晶闸管并且所述第一方向为布置包括在所述晶闸管中的多个扩散层的方向。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一电阻元件的平面形状是相同的，并且所述第二电阻元件的平面形状是相同的。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件的平面形状是相同的。

11.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件位于同一个层中。

12.根据权利要求5所述的半导体装置，其中当在与所述第一方向垂直的方向上观看时，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件位于所述保护元件中电流流动的部分内。