[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式是当今液晶显示领域的主流显示模式之一，然而由于其数据线(data line)附近电场的作用，数据线附近位置处的液晶分子会发生偏转，从而导致漏光。为弥补漏光的问题，在数据线上方设置黑矩阵(Black matrix)，但是数据线上方的黑矩阵通常需要较大宽度，从而使像素整体开口率偏低。

为了避免黑矩阵的设置减少显示面板中的开口率，基于ADS技术的HADS技术将公共电极线(COM electrode)设置在数据线上方，从而使得数据线附近电场限制在较窄区域，从而提高了开口率。

然而由于数据线和公共电极线具有交叠区域，造成了数据线和公共电极线之间具有交叠区域处产生寄生电容，从而加重了数据线的负载。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，用以减少阵列基板中数据线与公共电极线之间的寄生电容，从而减少数据线的负载。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板依次设置在所述衬底基板之上的数据线、钝化层和公共电极线，所述公共电极线和所述数据线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，该阵列基板还包括：

设置在所述钝化层中其位于所述交叠区域的第一过孔。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一过孔中填充有填充物，且所述填充物的介电常数小于所述钝化层的材料的介电常数。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：

设置在所述所述公共电极线且位于所述交叠区域的贯穿所述公共电极线所在膜层的第二过孔。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二过孔与所述第一过孔在所述衬底基板上的投影完全重叠。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：

设置在所述公共电极线之上的聚酰亚胺膜层，所述第二过孔填充有所述聚酰亚胺膜层。

相应地，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，包括：采用构图工艺在衬底基板上依次形成数据线、钝化层和公共电极线的图案，其中，所述公共电极线和所述数据线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，该方法还包括：

在形成所述钝化层的图案时，在所述钝化层的交叠区域形成第一过孔。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，形成第一过孔之后，该方法还包括：

在所述第一过孔处填充填充物，且所述填充物的介电常数小于所述钝化层的材料的介电常数。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述公共电极线的图案时，该方法还包括：

在所述公共电极线的交叠区域形成第二过孔。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述钝化层的图案时，在所述钝化层的交叠区域形成第一过孔，包括：

在所述数据线的图案之上形成钝化层膜层；

在所述钝化层膜层之上形成第一光刻胶，采用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，显影，形成第一光刻胶完全保留区域和第一光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶完全去除区域与所述交叠区域相对应；

刻蚀所述第一光刻胶完全去除区域所对应的钝化层膜层，形成第一过孔；

在所述第一过孔处填充所述第一光刻胶，剥离所述第一光刻胶完全保留区域所对应的第一光刻胶；

在形成所述公共电极线的图案时，在所述公共电极线的交叠区域形成所述第二过孔，包括：

在所述钝化层的图案之上形成公共电极线膜层；

在所述公共电极线膜层之上形成第二光刻胶，采用所述掩膜版对所述第二光刻胶进行曝光，显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域，其中，所述第二光刻胶完全去除区域与所述交叠区域相对应；

刻蚀所述第二光刻胶完全去除区域所对应的公共电极线膜层，形成第二过孔；

剥离所述第二光刻胶完全保留区域所所对应的第二光刻胶。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述公共电极线的图案之后，该方法还包括：

对所述第一过孔中的第一光刻胶进行曝光显影，使得第一光刻胶完全去除；