[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，依次设置在所述衬底基板之上的数据线、钝化层和公共电极线，所述公共电极线和所述数据线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，其特征在于，该阵列基板还包括：

设置在所述钝化层且位于所述交叠区域的第一过孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔中填充有填充物，且所述填充物的介电常数小于所述钝化层的材料的介电常数。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置在所述所述公共电极线且位于所述交叠区域的贯穿所述公共电极线所在膜层的第二过孔。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔与所述第一过孔在所述衬底基板上的投影完全重叠。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置在所述公共电极线之上的聚酰亚胺膜层，所述第二过孔填充有所述聚酰亚胺膜层。

6.一种权利要求1-5任一权项所述的阵列基板的制作方法，包括：采用构图工艺在衬底基板上依次形成数据线、钝化层和公共电极线的图案，其中，所述公共电极线和所述数据线在所述衬底基板上的投影具有交叠区域，其特征在于，该方法还包括：

在形成所述钝化层的图案时，在所述钝化层的交叠区域形成第一过孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成第一过孔之后，该方法还包括：

在所述第一过孔处填充填充物，且所述填充物的介电常数小于所述钝化层的材料的介电常数。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述公共电极线的图案时，该方法还包括：

在所述公共电极线的交叠区域形成第二过孔。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层的图案时，在所述钝化层的交叠区域形成第一过孔，包括：

在所述数据线的图案之上形成钝化层膜层；

在所述钝化层膜层之上形成第一光刻胶，采用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，显影，形成第一光刻胶完全保留区域和第一光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶完全去除区域与所述交叠区域相对应；

刻蚀所述第一光刻胶完全去除区域所对应的钝化层膜层，形成第一过孔；

在所述第一过孔处填充所述第一光刻胶，剥离所述第一光刻胶完全保留区域所对应的第一光刻胶；

在形成所述公共电极线的图案时，在所述公共电极线的交叠区域形成所述第二过孔，包括：

在所述钝化层的图案之上形成公共电极线膜层；

在所述公共电极线膜层之上形成第二光刻胶，采用所述掩膜版对所述第二光刻胶进行曝光，显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域，其中，所述第二光刻胶完全去除区域与所述交叠区域相对应；

刻蚀所述第二光刻胶完全去除区域所对应的公共电极线膜层，形成第二过孔；

剥离所述第二光刻胶完全保留区域所对应的第二光刻胶。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述公共电极线的图案之后，该方法还包括：

对所述第一过孔中的第一光刻胶进行曝光显影，使得第一光刻胶完全去除；

在所述公共电极线的图案之上形成聚酰亚胺膜层，其中，所述第一过孔和第二过孔处均填充有所述聚酰亚胺膜层。