[发明专利]选择性电磁遮蔽封装体结构及其制法在审
申请号: | 201710261485.3 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN108735715A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 吴明哲 | 申请(专利权)人: | 吴明哲 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L21/50 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装体结构 电磁遮蔽 中央区域 封胶体 基板 电磁遮蔽层 外围区域 安装面 制法 包围 封闭回路 沟槽形成 加工面 包覆 制作 | ||
本公开提供一种选择性电磁遮蔽封装体结构及其制法。选择性电磁遮蔽封装体结构包含有一基板,至少一第一电子元件设置于基板的安装面,一封胶体设置于安装面且包覆第一电子元件,以及一电磁遮蔽层;其中封胶体具有相对远离基板的一加工面可以区分成一中央区域与一外围区域包围着该中央区域,该封胶体设有一沟槽介于该中央区域与该外围区域之间,该沟槽形成一封闭回路且包围第一电子元件,电磁遮蔽层分布于该中央区域与该沟槽当中。本公开提供的选择性电磁遮蔽封装体结构可以适应多变的设计需求,而且具有较低的制作成本。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种半导体封装结构的电磁遮蔽层(EMI Shielding)及其制造方法,适用应用在整合不同功能的半导体封装结构。
背景技术
近年来数字科技的发展迅速,为了满足使用者对于便携带性与使用方便性的需求,电子产品朝向轻薄短小,以及一机多工的趋势发展,因此半导体封装技术必须进一步进行微型化(Minimization),在有限的体积实现更高的运算效能及整合更多功能。
为了避免电子元件之间的电磁干扰,传统的半导体封装结构会设置金属盖作为电磁遮蔽层,但是金属盖必须占据相对较大的空间,因此业界研发出顺形电磁遮蔽技术(Conformal EMI Shielding),利用溅镀(Sputtering)或镀层(Coating)等方式将导电导磁材料均匀散布在半导体封装结构的封胶体(Molded Resin)外周围来做为电磁遮蔽层,借此缩小体积。
然而,单一基板上的两个电子元件之间也可能会产生电磁干扰的问题,因此业界研发出分隔电磁遮蔽技术(Compartment EMI Shielding),能够在封胶体的内部切割形成沟槽(Trench)后填入导电材料来做为电磁遮蔽层。
然而,当半导体封装结构同时应用顺形电磁遮蔽技术与分隔电磁遮蔽技术时,整体的制造过程必须要使用多次的切割与溅镀等制程才能完成电磁遮蔽层,存在制程繁复与成本过高的问题。此外,所完成的电磁遮蔽层会将所有的电子元件都包覆在电磁遮蔽层之内,对于部分的半导体装置,例如将天线整合于基板上的无线模块而言,电磁遮蔽层反而构成天线效能上的阻碍。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种选择性电磁遮蔽封装体结构及其制法,具有制程简易的优点,而且可以在半导体封装结构上形成局部包覆的电磁遮蔽层。
为实现前述目的,本发明提供一种选择性电磁遮蔽封装体结构,包含有一基板,至少一第一电子元件设置于该基板的安装面,一封胶体设置于安装面且包覆第一电子元件,其中该封胶体具有相对远离该基板的一加工面,该加工面可以区分成一中央区域与一外围区域包围着该中央区域,该封胶体设有一沟槽介于该中央区域与该外围区域之间,该沟槽形成一封闭回路且包围第一电子元件;以及一电磁遮蔽层,由导电导磁材料制成,分布于该中央区域与该沟槽当中。
本发明还提供一种选择性电磁遮蔽封装体结构的制造方法,其步骤包含有:准备具有一基板、至少一第一电子元件与一封胶体的封装体结构,将封胶体相对远离基板的加工面区分成一中央区域,一外围区域包围着该中央区域,以及一加工区域介于该中央区域与该外围区域之间,该加工区域朝向封装体结构基板的投影形成一封闭回路且包围第一电子元件;以激光加工方式沿着加工区域形成一沟槽;以及以涂布方式将导电材料涂布于该中央区域并填充于该沟槽当中,以形成一电磁遮蔽层。
因此,本发明只需要对封胶体进行一次切割加工与印刷涂布即可完成电磁遮蔽层的制作,加工程序相当简单,而且特别适合应用在多功能整合的封装模块。
附图说明
图1为本发明封装体结构的立体图。
图2为本发明封装体结构于激光加工后的顶视图。
图3为本发明封装体结构于涂布制程后的顶视图。
图4为图3沿着4-4剖视线的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴明哲,未经吴明哲许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710261485.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其关键尺寸的定义方法
- 下一篇:封装结构