[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

一衬底；

多个叠层，设置在该衬底上，这些叠层通过多个第一沟道彼此分离，这些叠层包括交替配置的多个第一叠层和多个第二叠层，其中这些叠层的每一者包括交替叠层的多个导电条和多个绝缘条；

多个存储层，部分地设置在这些第一沟道中，并以共形的方式延伸到这些叠层上；

多个通道层，以共形的方式设置在这些存储层上；以及

多个接垫层，至少在实质上位于这些第一叠层上方的多个位置，该多个位置设置在这些通道层上；

其中，位于一叠层的二侧的通道层在叠层的延伸方向上偏离一段距离。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，这些接垫层的一厚度大于这些通道层的一厚度。

3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，更包括：

多个第一连接件，实质上设置在这些第一叠层上方，这些第一连接件接触这些接垫层；

多个第二连接件，实质上设置在这些第二叠层上方；

多个第一上方导线，其中这些第一连接件通过这些接垫层将这些通道层耦接到这些第一上方导线；以及

多个第二上方导线，其中这些第二连接件将这些通道层耦接到这些第二上方导线。

4.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，这些叠层的这些导电条包括字线，这些第一上方导线为位线，这些第二上方导线为共同源极线。

5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，这些接垫层更包括在实质上位于这些第二叠层上方的多个位置的多个接垫层，其中，该多个位置设置在这些通道层上。

6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，这些通道层在和这些叠层的一延伸方向垂直的一方向上通过位于这些叠层上方的多个第二沟道彼此分离，且其中这些通道层在这些叠层的该延伸方向上通过多个隔离结构彼此分离，这些隔离结构的每一者包括一第一部分和位于该第一部分上的一第二部分，且该第二部分的一剖面面积大于该第一部分的一剖面面积。

7.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一初步结构，该初步结构包括一衬底、多个叠层、一初始存储层、和一初始通道层，其中这些叠层形成在该衬底上并通过多个第一沟道彼此分离，这些叠层的每一者包括交替叠层的多个导电条和多个绝缘条，该初始存储层共形地形成在这些叠层和这些第一沟道上，该初始通道层共形地形成在该初始存储层上；

在该初步结构上形成一牺牲材料，该牺牲材料包括位于这些叠层上方的多个部分；

在该牺牲材料上形成一覆盖层；

在这些叠层上方形成多个第二沟道，这些第二沟道穿过该覆盖层和该牺牲材料；以及

通过以一接垫材料取代该牺牲材料位于这些叠层上方的这些部分，在这些叠层上形成多个接垫层；

其中，位于一叠层的二侧的通道层在叠层的延伸方向上偏离一段距离。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成这些接垫层的步骤包括：

移除该牺牲材料位于这些叠层上方的这些部分；

将该接垫材料填充到这些第二沟道、和由该牺牲材料位于这些叠层上方的这些部分的移除所形成的空间中；以及

在这些第二沟道中形成多个切割线，这些切割线分离这些叠层上的该接垫材料和该初始通道层。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，更包括：

在这些第一沟道中形成多个第一孔洞，其中该初始通道层在这些第一沟道中的多个部分由这些第一孔洞的形成所移除；

将一第一隔离材料填充到这些第一孔洞中；

在这些第一孔洞的较上部分的多个位置形成多个第二孔洞，其中这些第二孔洞的一剖面面积大于这些第一孔洞的一剖面面积，且其中该初始通道层在这些叠层上的多个部分由这些第二孔洞的形成所移除；以及

将一第二隔离材料填充到这些第二孔洞中。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，这些叠层包括交替配置的多个第一叠层和多个第二叠层，且该制造方法更包括：

在实质上位于这些第一叠层上方的多个位置形成多个第一连接件，这些第一连接件接触这些接垫层，这些第一连接件被配置成用于将使用该初始通道层所形成的多个通道层通过这些接垫层耦接到多个第一上方导线；以及

在实质上位于这些第二叠层上方的多个位置形成多个第二连接件，这些第二连接件被配置成用于将这些通道层耦接到多个第二上方导线。