[发明专利]X射线图像传感器及其制作方法、平板探测器

权利要求书

1.一种X射线图像传感器，其特征在于，所述X射线图像传感器至少包括：

传感器面板；

位于所述传感器面板上的栅极驱动层，其中，所述栅极驱动层至少包括m条行扫描线以及分别与m条行扫描线垂直的n条第一列读出线，每条第一列读出线均被m条行扫描线隔断为m-1条读出线段，每条读出线段与任一行扫描线均不连接，m、n均为大于1的自然数；

位于所述栅极驱动层上的具有多个过孔的栅隔离层；

位于所述栅隔离层上的源漏层，其中，所述源漏层至少包括与n条第一列读出线的位置一一对应的n条第二列读出线，每条第二列读出线和与其位置对应的第一列读出线的m-1条读出线段分别通过所述过孔实现并联连接。

2.根据权利要求1所述的X射线图像传感器，其特征在于，每个过孔的位置与每条读出线段的两端的位置相对应，以暴露每条读出线段的两端。

3.根据权利要求1所述的X射线图像传感器，其特征在于，所述过孔内填充有用以实现所述第二列读出线和所述读出线段电连接的金属连接线。

4.根据权利要求1所述的X射线图像传感器，其特征在于，每两条行扫描线、两条读出线段和两条第二列读出线围成的区域为像素元区域；

所述栅极驱动层还包括位于每个像素元区域内的控制栅，其中，位于第j行像素元区域内的所有控制栅共同连接第j条行扫描线，j为大于1且小于等于m的自然数；

所述源漏层还包括位于每个像素元区域内的源及漏金属区域和与所述源及漏金属区域连接的像素面积区域，其中，位于第k列像素元区域内的所有源及漏金属区域共同连接第k列第二列读出线，k为大于1且小于等于n的自然数；

其中，每个像素元区域至少包括TFT开关管和光电二极管，每个像素元区域内的控制栅和栅隔离层和源及漏金属区域用于形成所述TFT开关管，每个像素元区域内的像素面积区域用于形成所述光电二极管。

5.根据权利要求1所述的X射线图像传感器，其特征在于，所述栅隔离层的材料采用绝缘介质氮化硅。

6.一种平板探测器，其特征在于，所述平板探测器至少包括：

如权利要求1-5任一项所述的X射线图像传感器。

7.一种X射线图像传感器的制作方法，其特征在于，所述X射线图像传感器的制作方法至少包括如下步骤：

提供一传感器面板；

于所述传感器面板上制作栅极驱动层，其中，所述栅极驱动层至少包括m条行扫描线以及分别与m条行扫描线垂直的n条第一列读出线，每条第一列读出线均被m条行扫描线隔断为m-1条读出线段，每条读出线段与任一行扫描线均不连接，m、n均为大于1的自然数；

于所述栅极驱动层上制作具有多个过孔的栅隔离层；

于所述栅隔离层上制作源漏层，其中，所述源漏层至少包括与n条第一列读出线的位置一一对应的n条第二列读出线，每条第二列读出线和与其位置对应的第一列读出线的m-1条读出线段分别通过所述过孔实现并联连接。

8.根据权利要求7所述的X射线图像传感器的制作方法，其特征在于，于所述栅极驱动层上制作具有多个过孔的栅隔离层，具体方法为：

于所述栅极驱动层上形成栅隔离层；

于所述栅隔离层上打孔，以形成多个过孔；其中，每个过孔的位置与每条读出线段的两端的位置相对应，以暴露每条读出线段的两端。

9.根据权利要求7所述的X射线图像传感器的制作方法，其特征在于，于所述栅隔离层上制作源漏层，具体方法为：

于所述栅隔离层上形成金属膜，同时填充满所述过孔，以使所述过孔内填充有用以实现所述第二列读出线和所述读出线段电连接的金属连接线；

刻蚀所述金属膜，以形成所述源漏层。

10.根据权利要求7所述的X射线图像传感器的制作方法，其特征在于，所述栅隔离层的材料采用绝缘介质氮化硅。